Версия для печати
Технические характеристики MAX713ESE+

Корпус	16-SOIC
Корпус (размер)	16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Тип монтажа	Поверхностный
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C
Напряжение питания	4.5 V ~ 5.5 V
Тип батареи	Nickel Cadmium (NiCd), Nickel Metal-Hydride (NiMH)
Функция	Charge Management
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

MAX713 Nicd Nimh Battery Fast-charge Controllers Также в этом файле: MAX713ESE Производитель: Maxim Integrated Products //www.maxim-ic.com MAX713ESE+ datasheet 778.04Kb 17стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Питание

 » 

Работа с элементами питания

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		0603-1.0М 1%		ЧИП — резистор 0603, 1МОм, 1%	FAITHFUL LINK
		0603-1.0М 1%		ЧИП — резистор 0603, 1МОм, 1%			1.44  >500 шт.   0.48
		0603-15K 5%		ЧИП — резистор	FAITHFUL LINK
		0603-15K 5%		ЧИП — резистор		416	1.52  >100 шт.   0.76
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	NEC
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRONICS	266	34.36
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	UTC
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА		32	14.76
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	STMICROELECTRONICS
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRONICS SEMI	5
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	Fairchild Semiconductor
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTR
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	КИТАЙ
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST1
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRO
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	STMICROELECTR
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	HGSEMI	113	13.32
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	4-7 НЕДЕЛЬ	552
		КС191А		Стабилитрон кремниевый двуханодный, малой мощности 150мВт, 8.5 ... 9.7В, 3 ... 15мА		316	28.89
		КС191А		Стабилитрон кремниевый двуханодный, малой мощности 150мВт, 8.5 ... 9.7В, 3 ... 15мА	САРАНСК
		КС191А		Стабилитрон кремниевый двуханодный, малой мощности 150мВт, 8.5 ... 9.7В, 3 ... 15мА	П/П 2
		КС191А		Стабилитрон кремниевый двуханодный, малой мощности 150мВт, 8.5 ... 9.7В, 3 ... 15мА	RUS
		КС191А		Стабилитрон кремниевый двуханодный, малой мощности 150мВт, 8.5 ... 9.7В, 3 ... 15мА	СЗТП	80	41.38
		КС191А		Стабилитрон кремниевый двуханодный, малой мощности 150мВт, 8.5 ... 9.7В, 3 ... 15мА	НЗПП	472	43.39
		КС191А		Стабилитрон кремниевый двуханодный, малой мощности 150мВт, 8.5 ... 9.7В, 3 ... 15мА	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
		КТ818В		Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные, ...		462	77.28
		КТ818В		Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные, ...	КРЕМНИЙ
		КТ818В		Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные, ...	БРЯНСК	369	31.80
		КТ818В		Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные, ...	УЛЬЯНОВСК
		КТ818В		Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные, ...	МИНСК
		КТ818В		Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные, ...	УРЛЗ	1 074	53.09
		КТ818В		Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные, ...	RUS
		КТ818В		Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные, ...	507

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"