ZVP4525G
250v p-channel enhancement mode mosfet
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14 Ohm @ 200mA, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 265mA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 3.45nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 73pF @ 25V |
| Power - Max | 2W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-261-4, TO-261AA |
| Корпус | SOT-223 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
ZVP4525G (MOSFET) 250V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 0805 0,1МКФ X7R 50В |
|
Конденсатор чип 0805, 0,1мкФ, X7R, 50В |
|
|
||||
| 0805 1МКФ X7R 50В |
|
|
||||||
| 1812-B82432T 1UH 10% | 24 | 54.80 | ||||||
| 1812-LQH43M1000UH 5% | EPCOS |
|
|
|||||
| 1812-LQH43M1000UH 5% |
|
38.40 | ||||||
| DS1818R-20-U+ | MAXIM |
|
|
|||||
| DS1818R-20-U+ | MAX |
|
|
