Si4490DY

Версия для печати

Технические характеристики Si4490DY

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	TrenchFET®
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	80 mOhm @ 4A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	2.85A
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	42nC @ 10V
Power - Max	1.56W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SOICN

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Si4490DY (MOSFET)

N-Channel 200-V (D-S) MOSFET

Производитель:
Vishay

Si4490DY datasheet
70.7 Кб

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
1.5KE130CA	Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт 130в			160.00
1.5KE130CA	Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт 130в	ST MICROELECTRONICS
1.5KE130CA	Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт 130в	DC COMPONENTS
1.5KE130CA	Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт 130в	Littelfuse Inc
1.5KE130CA	Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт 130в	LTL
2N6520		DC COMPONENTS
2N6520			4	15.12
2N6520		1
2SK2545	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 6A, 40W)	TOSHIBA	52	128.83
2SK2545	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 6A, 40W)		1	226.80
2SK2545	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 6A, 40W)	TOS
2SK2545	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 6A, 40W)	МАЛАЙЗИЯ
2SK2545	Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 6A, 40W)	JAPAN
BYG20J	Диод импульсный 600В, 1.5А, 0.075мкс	VISHAY
BYG20J	Диод импульсный 600В, 1.5А, 0.075мкс			13.20
STP8NA50		SGS
STP8NA50		ST MICROELECTRONICS
STP8NA50		SGS THOMSON