|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | TrenchFET® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80 mOhm @ 4A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 2.85A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 42nC @ 10V |
| Power - Max | 1.56W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SOICN |
|
Si4490DY (MOSFET) N-Channel 200-V (D-S) MOSFET
Производитель:
|
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1.5KE130CA |
|
Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт 130в |
|
160.00 | ||||
| 1.5KE130CA |
|
Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт 130в | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|||
| 1.5KE130CA |
|
Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт 130в | DC COMPONENTS |
|
|
|||
| 1.5KE130CA |
|
Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт 130в | Littelfuse Inc |
|
|
|||
| 1.5KE130CA |
|
Диод TVS двунаправленный вывод. рад. 1500Вт 130в | LTL |
|
|
|||
|
|
|
MMBD352WT1 |
|
Сдвоенный ограничительный диод шоттки | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|
|
|
|
STP7NK80Z |
|
Транзистор полевой N-канальный +Z-Dio (800V, 5.2A, 125W, 1.8R) | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|
|
|
|
STP7NK80Z |
|
Транзистор полевой N-канальный +Z-Dio (800V, 5.2A, 125W, 1.8R) |
|
340.00 | ||
|
|
|
STP7NK80Z |
|
Транзистор полевой N-канальный +Z-Dio (800V, 5.2A, 125W, 1.8R) | STMicroelectronics |
|
|
|
|
|
|
STP7NK80Z |
|
Транзистор полевой N-канальный +Z-Dio (800V, 5.2A, 125W, 1.8R) | 4-7 НЕДЕЛЬ | 103 |
|
|
| STP8NA50 | SGS |
|
|
|||||
| STP8NA50 | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|||||
| STP8NA50 | SGS THOMSON |
|
|
|||||
| ПП3-43-100 ОМ 10% |
|
|