|
|
Версия для печати
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Power - Max | 2W |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 2940pF @ 15V |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 63nC @ 5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 9A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18 mOhm @ 9A, 4.5V |
| Корпус | 8-SO |
|
IRF7324 (P-канальные транзисторные модули) 20V Dual P-channel HexFET Power MOSFET inA SO-8 Package
Производитель:
|
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| A1080-A-350-02-04 | MWS |
|
|
|||||
| A1080-A-350-02-04 |
|
2 752.76 | ||||||
|
|
IRF7324PBF |
|
Транзистор P-канальный -20В -9А | INTERNATIONAL RECTIFIER | 4 | 181.50 | ||
|
|
IRF7324PBF |
|
Транзистор P-канальный -20В -9А | 3 | 74.00 | |||
|
|
IRF7324PBF |
|
Транзистор P-канальный -20В -9А | INFINEON |
|
|
||
| SMA-7805 | 16 | 138.75 | ||||||
|
|
|
SMA-JR |
|
Разъем SMA - гнездо для пайки на плату угловое 50Ом | BM | 98 | 272.81 | |
|
|
|
SMA-JR |
|
Разъем SMA - гнездо для пайки на плату угловое 50Ом | 9 272 | 35.05 | ||
|
|
|
SMA-JR |
|
Разъем SMA - гнездо для пайки на плату угловое 50Ом | KLS |
|
|
|
|
|
|
SMA-JR |
|
Разъем SMA - гнездо для пайки на плату угловое 50Ом | AMTEK |
|
|
|
|
|
|
SMA-JR |
|
Разъем SMA - гнездо для пайки на плату угловое 50Ом | RUICHI | 14 781 | 34.86 | |
| TL2575-ADJIKV | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
|||||
| TL2575-ADJIKV |
|
155.16 | ||||||
| TL2575-ADJIKV | TEXAS |
|
|
|||||
| TL2575-ADJIKV | 4-7 НЕДЕЛЬ | 791 |
|