IRFB3077

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRFB3077		400.00

Версия для печати

Технические характеристики IRFB3077

Input Capacitance (Ciss) @ Vds	9400pF @ 50V
Gate Charge (Qg) @ Vgs	220nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	120A
Drain to Source Voltage (Vdss)	75V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.3 mOhm @ 75A, 10V
FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Power - Max	370W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRFB3077PBF (Мощные полевые МОП транзисторы)

High Efficiency Synchronous Rectification In Smps

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

IRFB3077 datasheet
324.34Kb
8стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
0805-0.125-82 (5%)
1206-0			1 307	1.36
3224W-1-202E	Резистор подстроечный однооборотный smd (R=2,0 kom ,+/-10%, размер 4mm, -65+/-150*С, ...	BOURNS	2 724	144.65
3224W-1-202E	Резистор подстроечный однооборотный smd (R=2,0 kom ,+/-10%, размер 4mm, -65+/-150*С, ...	Bourns Inc
3224W-1-202E	Резистор подстроечный однооборотный smd (R=2,0 kom ,+/-10%, размер 4mm, -65+/-150*С, ...	BOURNS
3224W-1-202E	Резистор подстроечный однооборотный smd (R=2,0 kom ,+/-10%, размер 4mm, -65+/-150*С, ...
МЛТ-2-10 КОМ 5%