| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
FYL-5013UWC/P |
|
Единичный светодиод - 5mm/White/clear/If=20mA/2500 mcd, 30°
|
FORYARD
|
|
|
|
|
|
|
FYL-5013UWC/P |
|
Единичный светодиод - 5mm/White/clear/If=20mA/2500 mcd, 30°
|
|
|
21.36
|
|
|
|
|
FYL-5013UWC/P |
|
Единичный светодиод - 5mm/White/clear/If=20mA/2500 mcd, 30°
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
LM2576HVS-ADJ |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LM2576HVS-ADJ |
|
|
|
|
608.00
|
|
|
|
|
LM2576HVS-ADJ |
|
|
NSC
|
|
|
|
|
|
|
LM2576HVS-ADJ |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LM2576HVS-ADJ |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
LM2576HVS-ADJ |
|
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
|
LM2576HVS-ADJ |
|
|
YOUTAI
|
216
|
78.44
|
|
|
|
|
LM2576HVS-ADJ |
|
|
UMW
|
36
|
113.65
|
|
|
|
|
LM2576HVS-ADJ |
|
|
UMW-YOUTAI
|
|
|
|
|
|
|
LM2576HVS-ADJ |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
231
|
|
|
|
|
LM338K |
|
ИМС Стабилизатор положительного напряжения направленный 1.2/32В, 5А, TO3
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM338K |
|
ИМС Стабилизатор положительного напряжения направленный 1.2/32В, 5А, TO3
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
LM338K |
|
ИМС Стабилизатор положительного напряжения направленный 1.2/32В, 5А, TO3
|
|
|
725.72
|
|
|
|
LM338K |
|
ИМС Стабилизатор положительного напряжения направленный 1.2/32В, 5А, TO3
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
LM338K |
|
ИМС Стабилизатор положительного напряжения направленный 1.2/32В, 5А, TO3
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
LM338K |
|
ИМС Стабилизатор положительного напряжения направленный 1.2/32В, 5А, TO3
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
LM338K |
|
ИМС Стабилизатор положительного напряжения направленный 1.2/32В, 5А, TO3
|
ST1
|
|
|
|
|
|
LM338K |
|
ИМС Стабилизатор положительного напряжения направленный 1.2/32В, 5А, TO3
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
LM338K |
|
ИМС Стабилизатор положительного напряжения направленный 1.2/32В, 5А, TO3
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
425
|
|
|
|
|
REF192GPZ |
|
Источник опорного напряжения, 2.5В+10мВ 10ppm/°C, Iвых=30mA, -40°C - +85°C
|
ANALOG DEVICES
|
139
|
424.00
|
|
|
|
REF192GPZ |
|
Источник опорного напряжения, 2.5В+10мВ 10ppm/°C, Iвых=30mA, -40°C - +85°C
|
|
|
408.00
|
|
|
|
REF192GPZ |
|
Источник опорного напряжения, 2.5В+10мВ 10ppm/°C, Iвых=30mA, -40°C - +85°C
|
ANALOG
|
|
|
|
|
|
REF192GPZ |
|
Источник опорного напряжения, 2.5В+10мВ 10ppm/°C, Iвых=30mA, -40°C - +85°C
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
REF192GPZ |
|
Источник опорного напряжения, 2.5В+10мВ 10ppm/°C, Iвых=30mA, -40°C - +85°C
|
США
|
|
|
|
|
|
REF192GPZ |
|
Источник опорного напряжения, 2.5В+10мВ 10ppm/°C, Iвых=30mA, -40°C - +85°C
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
REF192GPZ |
|
Источник опорного напряжения, 2.5В+10мВ 10ppm/°C, Iвых=30mA, -40°C - +85°C
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
252
|
|
|
|
|
REF192GPZ |
|
Источник опорного напряжения, 2.5В+10мВ 10ppm/°C, Iвых=30mA, -40°C - +85°C
|
ADI
|
|
|
|
|
|
КТ819ГМ |
|
Транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN
|
КРЕМНИЙ
|
26
|
222.53
|
|
|
|
КТ819ГМ |
|
Транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN
|
|
204
|
202.40
|
|
|
|
КТ819ГМ |
|
Транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN
|
БРЯНСК
|
|
|
|
|
|
КТ819ГМ |
|
Транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN
|
ЭЛЕКТРОПРИБОР
|
|
|
|
|
|
КТ819ГМ |
|
Транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN
|
ФРЯЗИНО
|
|
|
|
|
|
КТ819ГМ |
|
Транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ819ГМ |
|
Транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN
|
206
|
|
|
|
|
|
КТ819ГМ |
|
Транзистор большой мощности среднечастотный структуры NPN
|
79
|
|
|
|