| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BZX55C2V4 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=2.4V, Izt-5mA
|
|
40
|
8.82
|
|
|
|
BZX55C2V4 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=2.4V, Izt-5mA
|
VISHAY
|
28
|
5.25
|
|
|
|
BZX55C2V4 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=2.4V, Izt-5mA
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BZX55C2V4 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=2.4V, Izt-5mA
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BZX55C2V4 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=2.4V, Izt-5mA
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
BZX55C2V4 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=2.4V, Izt-5mA
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BZX55C2V4 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=2.4V, Izt-5mA
|
DC COMPONENTS
|
19 776
|
1.12
>100 шт. 0.56
|
|
|
|
BZX55C2V4 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=2.4V, Izt-5mA
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
BZX55C2V4 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=2.4V, Izt-5mA
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BZX55C2V4 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=2.4V, Izt-5mA
|
HOTTECH
|
2
|
2.07
|
|
|
|
BZX55C2V4 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=2.4V, Izt-5mA
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BZX55C2V4 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=2.4V, Izt-5mA
|
LGE
|
8 752
|
1.64
>100 шт. 0.82
|
|
|
|
BZX55C2V4 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=2.4V, Izt-5mA
|
ST MICROELECTRONICS
|
181
|
1.34
>100 шт. 0.67
|
|
|
|
BZX55C2V4 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=2.4V, Izt-5mA
|
1
|
|
|
|
|
|
BZX55C2V4 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=2.4V, Izt-5mA
|
WUXI XUYANG
|
4 426
|
1.35
|
|
|
|
BZX55C2V4 |
|
Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=2.4V, Izt-5mA
|
227
|
|
|
|
|
|
|
K1050E70 |
|
Сидактор 105в
|
TECCOR
|
|
|
|
|
|
|
K1050E70 |
|
Сидактор 105в
|
TECCOR
|
|
|
|
|
|
|
K1050E70 |
|
Сидактор 105в
|
Littelfuse / Teccor Brand Thyristors
|
|
|
|
|
|
|
K1050E70 |
|
Сидактор 105в
|
LTL
|
|
|
|
|
|
|
K1050E70 |
|
Сидактор 105в
|
|
|
|
|
|
|
|
K1050E70 |
|
Сидактор 105в
|
LITTELFUSE
|
|
|
|
|
|
|
MURS160T3G |
|
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
MURS160T3G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MURS160T3G |
|
|
|
2
|
26.46
|
|
|
|
|
MURS160T3G |
|
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
MURS160T3G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
156
|
|
|
|
|
|
MURS160T3G |
|
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
|
MURS160T3G |
|
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MURS160T3G |
|
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
|
MURS160T3G |
|
|
1
|
|
|
|
|
|
|
MURS160T3G |
|
|
FUXIN
|
37 091
|
9.85
|
|
|
|
|
MURS160T3G |
|
|
ONSEMI
|
|
|
|
|
|
|
SM6T200A |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
24
|
7.23
|
|
|
|
|
SM6T200A |
|
|
|
|
26.16
|
|
|
|
|
SM6T200A |
|
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
SM6T200A |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
SM6T200A |
|
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
К176ЛА7 |
|
4 двухвходовых базовых элемента И с инверсией выходного сигнала
|
|
8 789
|
13.02
|
|
|
|
К176ЛА7 |
|
4 двухвходовых базовых элемента И с инверсией выходного сигнала
|
ДНЕПР
|
6 711
|
9.30
|
|
|
|
К176ЛА7 |
|
4 двухвходовых базовых элемента И с инверсией выходного сигнала
|
ХАБАРОВСК
|
|
|
|
|
|
К176ЛА7 |
|
4 двухвходовых базовых элемента И с инверсией выходного сигнала
|
НОВОСИБИРСКИЙ ЗПП
|
|
|
|
|
|
К176ЛА7 |
|
4 двухвходовых базовых элемента И с инверсией выходного сигнала
|
НОВОСИБИРСК
|
|
|
|
|
|
К176ЛА7 |
|
4 двухвходовых базовых элемента И с инверсией выходного сигнала
|
НЗПП
|
|
|
|
|
|
К176ЛА7 |
|
4 двухвходовых базовых элемента И с инверсией выходного сигнала
|
ХЕРСОН
|
|
|
|
|
|
К176ЛА7 |
|
4 двухвходовых базовых элемента И с инверсией выходного сигнала
|
11899
|
|
|
|
|
|
К176ЛА7 |
|
4 двухвходовых базовых элемента И с инверсией выходного сигнала
|
1717
|
|
|
|