|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 44 mOhm @ 16A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 32A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 71nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1960pF @ 25V |
| Power - Max | 130W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Корпус | D-Pak |
|
IRFR3411 (Дискретные сигналы) 100V Single N-channel HexFET Power MOSFET inA I-pak Package
Производитель:
|
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 0805-X5R-25-2.2МКФK | MURATA |
|
|
|||||
| 0805-X5R-25-2.2МКФK | HITANO |
|
|
|||||
| 0805-X5R-25-4.7МКФK | MURATA |
|
|
|||||
| 0805-X5R-25-4.7МКФK | HITANO |
|
|
|||||
| BZV55-B12 | NXP |
|
|
|||||
| BZV55-B12 | PHILIPS |
|
|
|||||
| BZV55-B12 | NXP |
|
|
|||||
| BZV55-B12 | PHILIPS |
|
|
|||||
| BZV55-B12 | KEEN SIDE |
|
|
|||||
|
|
|
TME 0505S |
|
DC/DC преобразователь мощностью 1Вт, вход 4.5-5.5V, выход 5V/200mA, изоляция 1000VDC, ... | TRACO | 3 899 | 444.95 | |
|
|
|
TME 0505S |
|
DC/DC преобразователь мощностью 1Вт, вход 4.5-5.5V, выход 5V/200mA, изоляция 1000VDC, ... |
|
|
||
| WSL1206R2000FTB | VISHAY |
|
|
|||||
| WSL1206R2000FTB | VISHAY |
|
|