IRFR3411

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
IRFR3411	1 947	40.74

Версия для печати

Технические характеристики IRFR3411

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	HEXFET®
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	44 mOhm @ 16A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	32A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	71nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1960pF @ 25V
Power - Max	130W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус	D-Pak

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRFR3411 (Дискретные сигналы)

100V Single N-channel HexFET Power MOSFET inA I-pak Package

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

IRFR3411 datasheet
112.79Kb
10стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
0805-X5R-25-4.7МКФK		MURATA
0805-X5R-25-4.7МКФK		HITANO
1206-X7R-2.2UF 10% 50V	Керамический конденсатор 2.2мкФ, 50 В, 10%	KOME
1206-X7R-2.2UF 10% 50V	Керамический конденсатор 2.2мкФ, 50 В, 10%			17.80
701-101BAB-B00		HONEYWELL
701-101BAB-B00		HONEY
701-101BAB-B00				632.00
BZV55-B15		NXP
BZV55-B15		NXP	780
BZV55-B15		PHILIPS	1 425
BZV55-B15		KEEN SIDE	4 565	1.52 >100 шт. 0.76
МПВ5А		ИРБИС
МПВ5А