![]() |
|
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
FET Feature | Standard |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.2 Ohm @ 2.2A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 3.6A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 31nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 660pF @ 25V |
Power - Max | 74W |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | TO-220-3 |
Корпус | TO-220AB |
IRFBC30 N - Channel Powermesh Mosfet
Производитель:
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
1500МКФ 16В (10Х19) 105°C |
![]() |
Электролитический алюминиевый конденсатор 1500 мкФ 16В |
![]() |
50.00 | ||||
![]() |
BYV26C-TAP |
![]() |
Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 30ns | NXP |
![]() |
![]() |
||
![]() |
BYV26C-TAP |
![]() |
Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 30ns | VISHAY |
![]() |
![]() |
||
![]() |
BYV26C-TAP |
![]() |
Ультрабыстрый диод 600V, 1A, 30ns | 1 272 | 31.45 | |||
UC3842BD1 | ON SEMICONDUCTOR |
![]() |
![]() |
|||||
UC3842BD1 |
![]() |
74.40 | ||||||
UC3842BD1 | ON SEMICONDUCTOR |
![]() |
![]() |
|||||
UC3842BD1 | STMicroelectronics |
![]() |
![]() |
|||||
UC3842BD1 | ST MICROELECTRONICS | 800 | 49.14 | |||||
UC3842BD1 | 4-7 НЕДЕЛЬ | 214 |
![]() |
|||||
ОТСОС ПРИПОЯ TD-192В | 320 | 218.62 | ||||||
ОТСОС ПРИПОЯ TD-192В | 320 | 218.62 | ||||||
ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 4.8 СИН. 0.5М |
![]() |
![]() |
||||||
ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 4.8 СИН. 0.5М | ПОЛЬША |
![]() |
![]() |
|||||
ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 4.8 СИН. 0.5М | ГЕРМАНИЯ |
![]() |
![]() |
|
Корзина
|