| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
22МКФ 50 (8Х10.2)105°C |
|
|
|
|
|
|
|
|
IR2112S |
|
Независимый драйвер верхнего и нижнего ключа. Тс = 30нс, Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2/0
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
284
|
107.40
|
|
|
|
IR2112S |
|
Независимый драйвер верхнего и нижнего ключа. Тс = 30нс, Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2/0
|
|
|
220.36
|
|
|
|
IR2112S |
|
Независимый драйвер верхнего и нижнего ключа. Тс = 30нс, Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2/0
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IR2112S |
|
Независимый драйвер верхнего и нижнего ключа. Тс = 30нс, Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2/0
|
США
|
|
|
|
|
|
IR2112S |
|
Независимый драйвер верхнего и нижнего ключа. Тс = 30нс, Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2/0
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
IR2112S |
|
Независимый драйвер верхнего и нижнего ключа. Тс = 30нс, Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2/0
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IR2112S |
|
Независимый драйвер верхнего и нижнего ключа. Тс = 30нс, Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2/0
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
750
|
|
|
|
|
IR2112S |
|
Независимый драйвер верхнего и нижнего ключа. Тс = 30нс, Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2/0
|
16
|
|
|
|
|
|
IR2112S |
|
Независимый драйвер верхнего и нижнего ключа. Тс = 30нс, Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2/0
|
383
|
|
|
|
|
|
IR2112S |
|
Независимый драйвер верхнего и нижнего ключа. Тс = 30нс, Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2/0
|
5
|
|
|
|
|
|
IRFBC30 |
|
Транзистор полевой N-MOS 600V, 3.6A, 74W
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFBC30 |
|
Транзистор полевой N-MOS 600V, 3.6A, 74W
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRFBC30 |
|
Транзистор полевой N-MOS 600V, 3.6A, 74W
|
|
|
66.52
|
|
|
|
IRFBC30 |
|
Транзистор полевой N-MOS 600V, 3.6A, 74W
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRFBC30 |
|
Транзистор полевой N-MOS 600V, 3.6A, 74W
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
STP5NK80Z |
|
Транзистор N-Канальный+Z-Dio 800V 4,3A 110W 2,4R
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
STP5NK80Z |
|
Транзистор N-Канальный+Z-Dio 800V 4,3A 110W 2,4R
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
STP5NK80Z |
|
Транзистор N-Канальный+Z-Dio 800V 4,3A 110W 2,4R
|
|
|
|
|
|
|
STP5NK80Z |
|
Транзистор N-Канальный+Z-Dio 800V 4,3A 110W 2,4R
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
STP5NK80Z |
|
Транзистор N-Канальный+Z-Dio 800V 4,3A 110W 2,4R
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
КТ603Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN
|
|
1 256
|
49.19
|
|
|
|
КТ603Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ603Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN
|
ПЛАНЕТА
|
5 575
|
44.75
|
|
|
|
КТ603Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN
|
ВОРОНЕЖ
|
|
|
|
|
|
КТ603Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN
|
RUS
|
|
|
|