![]() |
|
FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Серия | HEXFET® |
Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
FET Feature | Standard |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 300 mOhm @ 5.4A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 9.3A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 35nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 575pF @ 25V |
Power - Max | 82W |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB |
Корпус | D2PAK |
IRF630N (N-канальные транзисторные модули) Power MOSFET (Vdss=200V, Rds (on) =0.30ohm, Id=9.3A) Также в этом файле: IRF630NS
Производитель:
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
1812-X7R-0.047UF 10% 1000V |
![]() |
Керамический конденсатор 0.047 мкФ 1000 В | KOME |
![]() |
![]() |
|||
1812-X7R-0.047UF 10% 1000V |
![]() |
Керамический конденсатор 0.047 мкФ 1000 В |
![]() |
55.72 | ||||
![]() |
![]() |
C0805C102J1GACTU |
![]() |
Kemet |
![]() |
![]() |
||
![]() |
![]() |
CRCW0805100RFKEA |
![]() |
Чип-резистор 100Ом, 1%, 0805 | VISHAY |
![]() |
![]() |
|
![]() |
![]() |
CRCW0805100RFKEA |
![]() |
Чип-резистор 100Ом, 1%, 0805 | VISHAY | 18 477 |
![]() |
|
![]() |
![]() |
CRCW0805100RFKEA |
![]() |
Чип-резистор 100Ом, 1%, 0805 | Vishay/Dale |
![]() |
![]() |
|
![]() |
![]() |
CRCW0805100RFKEA |
![]() |
Чип-резистор 100Ом, 1%, 0805 |
![]() |
![]() |
||
RC0603FR-075R1 | YAGEO |
![]() |
![]() |
|||||
RC0603FR-075R1 | YAGEO |
![]() |
![]() |
|||||
![]() |
![]() |
S1812R-105K |
![]() |
API Delevan Inc |
![]() |
![]() |
|
Корзина
|