DTA114ES

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
DTA114ES		18.76

Версия для печати

Технические характеристики DTA114ES

Корпус	SPT
Корпус (размер)	SC-72-3, SPT
Тип монтажа	Выводной
Power - Max	300mW
Frequency - Transition	250MHz
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 500µA, 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	30 @ 5mA, 5V
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms)	10K
Resistor - Base (R1) (Ohms)	10K
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	50V
Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
Transistor Type	PNP - Pre-Biased
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

PDTA114ES (Универсальные биполярные PNP транзисторы)

Pnp Resistor-equipped Transistor

Производитель:
Philips Semiconductors
//www.semiconductors.philips.com

DTA114ES datasheet
73.69Kb
8стр.

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2SA1348