DTC114ES
NPN DIGITAL, 50V, 50mA, 10/10кОм
|
|
Версия для печати
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50mA |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Resistor - Base (R1) (Ohms) | 10K |
| Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | 10K |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Frequency - Transition | 250MHz |
| Power - Max | 300mW |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | SC-72-3, SPT |
| Корпус | SPT |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
PDTC114ES Npn Resistor-equipped Transistor
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CD4097BE | ST MICROELECTRONICS |
|
|
||||
|
|
CD4097BE |
|
1 979.08 | |||||
|
|
CD4097BE | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
||||
|
|
CD4097BE | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
||||
|
|
CD4097BE | 4-7 НЕДЕЛЬ | 500 |
|
||||
 |
|
DTA114ES |
|
Транзистор биполярный цифровой | ROHM |
|
|
|
|
|
|
DTA114ES |
|
Транзистор биполярный цифровой |
|
18.76 | ||
 |
|
HEF4067BP,652 |
|
NXP Semiconductors |
|
|
||
|
|
|
HEF4067BP,652 |
|
NXP |
|
|
||
|
|
|
HEF4067BP,652 |
|
NEX |
|
|
||
|
|
K827PH |
|
63.32 | |||||
|
|
K827PH | Vishay/Semiconductors |
|
|
||||
|
|
K827PH | VISHAY |
|
|
||||
 |
|
PC123 |
|
Оптопаpа CTR 50%(5mA), Vce=70V | SHARP |
|
|
|
|
|
|
PC123 |
|
Оптопаpа CTR 50%(5mA), Vce=70V |
|
20.12 | ||
|
|
|
PC123 |
|
Оптопаpа CTR 50%(5mA), Vce=70V | Sharp Microelectronics |
|
|
|
|
|
|
PC123 |
|
Оптопаpа CTR 50%(5mA), Vce=70V | СИНГАПУР |
|
|
|
|
|
|
PC123 |
|
Оптопаpа CTR 50%(5mA), Vce=70V | 4-7 НЕДЕЛЬ | 596 |
|
