|
|
Версия для печати
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50mA |
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Resistor - Base (R1) (Ohms) | 10K |
| Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | 10K |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Frequency - Transition | 250MHz |
| Power - Max | 300mW |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | SC-72-3, SPT |
| Корпус | SPT |
|
PDTC114ES Npn Resistor-equipped Transistor
Производитель:
|
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
DTA114ES |
|
Транзистор биполярный цифровой | ROHM |
|
|
|
|
|
|
DTA114ES |
|
Транзистор биполярный цифровой |
|
18.76 | ||
|
|
LM317HVT |
|
Микросхема регулир. стабилиз. напряж 1,2 | NATIONAL SEMICONDUCTOR |
|
|
||
|
|
LM317HVT |
|
Микросхема регулир. стабилиз. напряж 1,2 | NSC |
|
|
||
|
|
LM317HVT |
|
Микросхема регулир. стабилиз. напряж 1,2 |
|
158.28 | |||
|
|
LM317HVT |
|
Микросхема регулир. стабилиз. напряж 1,2 | NATIONAL SEMICONDUCTOR |
|
|
||
|
|
LM317HVT |
|
Микросхема регулир. стабилиз. напряж 1,2 | ВЕЛИКОБРИТАНИЯ |
|
|
||
|
|
LM317HVT |
|
Микросхема регулир. стабилиз. напряж 1,2 | TEXAS INSTRUMENTS |
|
|
||
|
|
LM317HVT |
|
Микросхема регулир. стабилиз. напряж 1,2 | TEXAS |
|
|
||
|
|
LM317HVT |
|
Микросхема регулир. стабилиз. напряж 1,2 | 4-7 НЕДЕЛЬ | 194 |
|
||
| PDTB123ES | NXP |
|
|
|||||
| PDTB123ES | PHILIPS |
|
|
|||||
| PDTB123ES | NXP | 5 160 |
|
|||||
| PDTB123ES | PHILIPS | 8 666 |
|
|||||
|
|
SCS-24 |
|
|
|||||
|
|
SCS-24 | NXU |
|
|
||||
|
|
SCS-24 | NLT |
|
|
||||
|
|
SCS-24 | KLS | 2 262 | 3.96 | ||||
| КС1566ХЛ2 | 52 | 30.24 | ||||||
| КС1566ХЛ2 | RUS |
|
|