|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
4700МКФ 50 (25X40)105°C |
|
|
|
|
|
|
|
|
BZX55C5V6 |
|
Стабилитрон 0,5Вт, DO-35, 5%
|
|
22 972
|
1.36
|
|
|
|
BZX55C5V6 |
|
Стабилитрон 0,5Вт, DO-35, 5%
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BZX55C5V6 |
|
Стабилитрон 0,5Вт, DO-35, 5%
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BZX55C5V6 |
|
Стабилитрон 0,5Вт, DO-35, 5%
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
BZX55C5V6 |
|
Стабилитрон 0,5Вт, DO-35, 5%
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BZX55C5V6 |
|
Стабилитрон 0,5Вт, DO-35, 5%
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BZX55C5V6 |
|
Стабилитрон 0,5Вт, DO-35, 5%
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BZX55C5V6 |
|
Стабилитрон 0,5Вт, DO-35, 5%
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BZX55C5V6 |
|
Стабилитрон 0,5Вт, DO-35, 5%
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BZX55C5V6 |
|
Стабилитрон 0,5Вт, DO-35, 5%
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
BZX55C5V6 |
|
Стабилитрон 0,5Вт, DO-35, 5%
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BZX55C5V6 |
|
Стабилитрон 0,5Вт, DO-35, 5%
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
BZX55C5V6 |
|
Стабилитрон 0,5Вт, DO-35, 5%
|
YI
|
|
|
|
|
|
BZX55C5V6 |
|
Стабилитрон 0,5Вт, DO-35, 5%
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
BZX55C5V6 |
|
Стабилитрон 0,5Вт, DO-35, 5%
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BZX55C5V6 |
|
Стабилитрон 0,5Вт, DO-35, 5%
|
ST MICROELECTRONICS
|
252
|
2.34
|
|
|
|
BZX55C5V6 |
|
Стабилитрон 0,5Вт, DO-35, 5%
|
БРЕСТ
|
735
|
2.10
|
|
|
|
BZX55C5V6 |
|
Стабилитрон 0,5Вт, DO-35, 5%
|
DCCOMP
|
|
|
|
|
|
BZX55C5V6 |
|
Стабилитрон 0,5Вт, DO-35, 5%
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
BZX55C5V6 |
|
Стабилитрон 0,5Вт, DO-35, 5%
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BZX55C5V6 |
|
Стабилитрон 0,5Вт, DO-35, 5%
|
1
|
|
|
|
|
|
BZX55C5V6 |
|
Стабилитрон 0,5Вт, DO-35, 5%
|
SUNTAN
|
2 468
|
1.50
|
|
|
|
BZX55C5V6 |
|
Стабилитрон 0,5Вт, DO-35, 5%
|
ASEMI
|
9 000
|
1.20
|
|
|
|
IRFP240 |
|
Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFP240 |
|
Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRFP240 |
|
Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
IRFP240 |
|
Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W
|
HARRIS
|
|
|
|
|
|
IRFP240 |
|
Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W
|
INTERSIL
|
|
|
|
|
|
IRFP240 |
|
Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
IRFP240 |
|
Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
IRFP240 |
|
Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W
|
HARRIS
|
|
|
|
|
|
IRFP240 |
|
Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W
|
INTERSIL
|
|
|
|
|
|
IRFP240 |
|
Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRFP240 |
|
Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRFP240 |
|
Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W
|
ISIL
|
|
|
|
|
|
IRFP240 |
|
Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W
|
SILICONIX
|
19
|
|
|
|
|
IRFP240 |
|
Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W
|
|
|
155.76
|
|
|
|
IRFP240 |
|
Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W
|
1
|
|
|
|
|
|
IRFP9240 |
|
Транзистор полевой P-канальный мощный 200В, 12А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRFP9240 |
|
Транзистор полевой P-канальный мощный 200В, 12А
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
IRFP9240 |
|
Транзистор полевой P-канальный мощный 200В, 12А
|
INTERSIL
|
|
|
|
|
|
IRFP9240 |
|
Транзистор полевой P-канальный мощный 200В, 12А
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
IRFP9240 |
|
Транзистор полевой P-канальный мощный 200В, 12А
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRFP9240 |
|
Транзистор полевой P-канальный мощный 200В, 12А
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
IRFP9240 |
|
Транзистор полевой P-канальный мощный 200В, 12А
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
IRFP9240 |
|
Транзистор полевой P-канальный мощный 200В, 12А
|
INTERSIL
|
|
|
|
|
|
IRFP9240 |
|
Транзистор полевой P-канальный мощный 200В, 12А
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
IRFP9240 |
|
Транзистор полевой P-канальный мощный 200В, 12А
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRFP9240 |
|
Транзистор полевой P-канальный мощный 200В, 12А
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRFP9240 |
|
Транзистор полевой P-канальный мощный 200В, 12А
|
|
456
|
118.74
|
|
|
|
TDA7293 |
|
УНЧ DMOS 80W (2x29V/4 Ом), THD<0.1%, max 100W
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
TDA7293 |
|
УНЧ DMOS 80W (2x29V/4 Ом), THD<0.1%, max 100W
|
|
|
320.00
|
|
|
|
TDA7293 |
|
УНЧ DMOS 80W (2x29V/4 Ом), THD<0.1%, max 100W
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
TDA7293 |
|
УНЧ DMOS 80W (2x29V/4 Ом), THD<0.1%, max 100W
|
1
|
|
|
|
|
|
TDA7293 |
|
УНЧ DMOS 80W (2x29V/4 Ом), THD<0.1%, max 100W
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
228
|
|
|