Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 8.2V |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 900mV @ 10mA |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 700nA @ 5V |
Допустимые отклонения емкости | ±5% |
Power - Max | 350mW |
Impedance (Max) (Zzt) | 15 Ohm |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Корпус | SOT-23-3 (TO-236) |
Рабочая температура | -55°C ~ 150°C |
Product Change Notification | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
Tolerance | ±5% |
|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
0603-2.2К 5% |
|
ЧИП — резистор
|
FAITHFUL LINK
|
|
|
|
|
|
0603-2.2К 5% |
|
ЧИП — резистор
|
|
|
1.52
>100 шт. 0.76
|
|
|
|
3329H-682 |
|
Резистор переменный подстроечный, непроволочный однооборотный
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
3329H-682 |
|
Резистор переменный подстроечный, непроволочный однооборотный
|
BARONS
|
|
|
|
|
|
3329H-682 |
|
Резистор переменный подстроечный, непроволочный однооборотный
|
|
|
19.04
|
|
|
|
3329H-682 |
|
Резистор переменный подстроечный, непроволочный однооборотный
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NXP
|
19 753
|
2.10
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PANJIT
|
568
|
1.51
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DC COMPONENTS
|
27 688
|
1.21
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DIOTEC
|
1 324
|
1.25
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GALAXY
|
24
|
11.37
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIRCHILD
|
104
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
1 920
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NXP
|
2 593
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PHILIPS
|
21
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
|
34 570
|
1.32
>100 шт. 0.66
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
HOTTECH
|
105 574
|
1.18
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGJIE
|
36 000
|
1.18
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YJ
|
298 483
|
1.03
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
JSCJ
|
79 396
|
1.03
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
1
|
|
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SUNTAN
|
31 814
|
1.26
|
|
|
|
BAW56 |
|
2 импульсных диода (общий анод, Vr=80V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
XXW
|
20 094
|
1.38
>100 шт. 0.69
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
|
1 580
|
7.56
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
PHILIPS
|
800
|
7.56
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
DC COMPONENTS
|
9 328
|
2.08
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
DIOTEC
|
313
|
1.77
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
FAIRCHILD
|
3 596
|
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
NXP
|
3 281
|
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
PHILIPS
|
6 583
|
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
YJ
|
949 008
|
1.19
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
HOTTECH
|
879 426
|
1.56
>100 шт. 0.78
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
KOME
|
10
|
1.99
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
SUNTAN
|
110 304
|
1.42
>100 шт. 0.71
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
NEX-NXP
|
|
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
TRR
|
43 536
|
1.23
>500 шт. 0.41
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
JINGDAO
|
137 710
|
1.18
>100 шт. 0.59
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
XXW
|
385 670
|
1.36
>100 шт. 0.68
|
|
|
|
BC846B |
|
Транзистор NPN 65V, 0.1A, 300MHz, B=200-450
|
YANGZHOU YANGJIE
|
21 097
|
2.83
|
|
|
|
BZX84-C4V7.215 |
|
SMD Стабилитрон 0,3W 4,7V
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BZX84-C4V7.215 |
|
SMD Стабилитрон 0,3W 4,7V
|
|
|
|
|
|
|
BZX84-C4V7.215 |
|
SMD Стабилитрон 0,3W 4,7V
|
NEX-NXP
|
42 811
|
1.23
|
|
|
|
BZX84-C4V7.215 |
|
SMD Стабилитрон 0,3W 4,7V
|
NEXPERIA
|
|
|
|