|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1.5KE8.2A |
|
Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 8,2в
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
1.5KE8.2A |
|
Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 8,2в
|
GENERAL INSTRUMENT
|
|
|
|
|
|
1.5KE8.2A |
|
Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 8,2в
|
SGS
|
|
|
|
|
|
1.5KE8.2A |
|
Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 8,2в
|
TSC
|
|
|
|
|
|
1.5KE8.2A |
|
Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 8,2в
|
SMK
|
|
|
|
|
|
1.5KE8.2A |
|
Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 8,2в
|
|
|
68.00
|
|
|
|
1.5KE8.2A |
|
Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 8,2в
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1.5KE8.2A |
|
Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 8,2в
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1.5KE8.2A |
|
Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 8,2в
|
GENERAL INSTRUMENT
|
36
|
|
|
|
|
1.5KE8.2A |
|
Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 8,2в
|
Littelfuse Inc
|
|
|
|
|
|
1.5KE8.2A |
|
Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 8,2в
|
ON Semiconductor
|
|
|
|
|
|
1.5KE8.2A |
|
Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 8,2в
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
1.5KE8.2A |
|
Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 8,2в
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
1.5KE8.2A |
|
Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 8,2в
|
MIC
|
|
|
|
|
|
1.5KE8.2A |
|
Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 8,2в
|
КИТАЙ
|
266
|
32.13
|
|
|
|
1.5KE8.2A |
|
Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 8,2в
|
MIG
|
236
|
14.70
|
|
|
|
1.5KE8.2A |
|
Диод TVS однонаправленный вывод. рад. 1500Вт 8,2в
|
JJM
|
4 007
|
17.78
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
MCC
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
ST MICROELECTRONICS
|
1 971
|
9.22
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
GOODWORK SEMICONDUCTER
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
RECTRON
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
DC COMPONENTS
|
5 560
|
3.63
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
SMK
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
MIC
|
22 730
|
2.02
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
YJ
|
16 272
|
2.63
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
DC COMPONENTS
|
3 692
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
21
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
GOODWORK SEMICONDUCTER, INC.
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
ON SEMICONDUCTOR
|
80
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
RECTRON
|
240
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
YJ ELECTRONIC
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
Vishay/Semiconductors
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
КИТАЙ
|
400
|
3.15
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
LESHAN RADIO COMPANY, LTD
|
43 351
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
DIODES INC.
|
14
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
MMC
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
MIG
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
|
19 083
|
1.83
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
JY
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
KLS
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
SUNTAN
|
1 695
|
3.14
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
YANGJIE
|
16 000
|
2.43
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
WUXI XUYANG
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
MIС
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
ASEMI
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
1N5819 |
|
Диод Шоттки 40В, 1А
|
1
|
|
|
|
|
|
3296X-1-503 |
|
Подстроечный резистор 50K
|
BARONS
|
|
|
|
|
|
3296X-1-503 |
|
Подстроечный резистор 50K
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
3296X-1-503 |
|
Подстроечный резистор 50K
|
|
|
20.80
|
|
|
|
3296X-1-503 |
|
Подстроечный резистор 50K
|
Bourns Inc
|
|
|
|
|
|
3296X-1-503 |
|
Подстроечный резистор 50K
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
3296X-1-503 |
|
Подстроечный резистор 50K
|
BOCHEN
|
2 703
|
9.93
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIOTEC
|
351 724
|
1.33
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DC COMPONENTS
|
110 552
|
2.04
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
UTC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
|
59 591
|
1.34
>100 шт. 0.67
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIRCHILD
|
325
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
LI-SION TECHNOLOGY INC.
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KEC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP
|
4 345
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PANJIT
|
27 200
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
INFINEON
|
800
|
4.91
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
HOTTECH
|
1 253 466
|
1.38
>500 шт. 0.46
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ARK
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KLS
|
568
|
1.88
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NEXPERIA
|
338 243
|
1.19
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SEMTECH
|
342
|
1.37
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PJ
|
6 466
|
1.56
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGJIE
|
232 800
|
1.74
>100 шт. 0.87
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YJ
|
1 595 328
|
1.04
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
JSCJ
|
245 824
|
1.10
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP/NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
TRR
|
112 000
|
1.03
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SUNTAN
|
367 527
|
1.62
>100 шт. 0.81
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
JINGDAO
|
20 544
|
1.28
>100 шт. 0.64
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
TRR ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
HOTTECCN
|
1 710
|
1.68
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
CJ
|
8 000
|
5.12
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGZHOU YANGJIE
|
67 702
|
2.11
|
|
|
|
P6KE6.8A |
|
Супрессор PV=600W, Vbr=6.8V, Ir-5mkA, Ifsm=100A
|
EIC
|
|
|
|
|
|
P6KE6.8A |
|
Супрессор PV=600W, Vbr=6.8V, Ir-5mkA, Ifsm=100A
|
MASTER INSTRUMENT CO
|
35
|
17.76
|
|
|
|
P6KE6.8A |
|
Супрессор PV=600W, Vbr=6.8V, Ir-5mkA, Ifsm=100A
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
P6KE6.8A |
|
Супрессор PV=600W, Vbr=6.8V, Ir-5mkA, Ifsm=100A
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
P6KE6.8A |
|
Супрессор PV=600W, Vbr=6.8V, Ir-5mkA, Ifsm=100A
|
SMK
|
|
|
|
|
|
P6KE6.8A |
|
Супрессор PV=600W, Vbr=6.8V, Ir-5mkA, Ifsm=100A
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
P6KE6.8A |
|
Супрессор PV=600W, Vbr=6.8V, Ir-5mkA, Ifsm=100A
|
DC COMPONENTS
|
1 692
|
6.97
|
|
|
|
P6KE6.8A |
|
Супрессор PV=600W, Vbr=6.8V, Ir-5mkA, Ifsm=100A
|
SEMICRON
|
|
|
|
|
|
P6KE6.8A |
|
Супрессор PV=600W, Vbr=6.8V, Ir-5mkA, Ifsm=100A
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
P6KE6.8A |
|
Супрессор PV=600W, Vbr=6.8V, Ir-5mkA, Ifsm=100A
|
MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI)
|
|
|
|
|
|
P6KE6.8A |
|
Супрессор PV=600W, Vbr=6.8V, Ir-5mkA, Ifsm=100A
|
Littelfuse Inc
|
|
|
|
|
|
P6KE6.8A |
|
Супрессор PV=600W, Vbr=6.8V, Ir-5mkA, Ifsm=100A
|
ON Semiconductor
|
|
|
|
|
|
P6KE6.8A |
|
Супрессор PV=600W, Vbr=6.8V, Ir-5mkA, Ifsm=100A
|
MICROSEMI CORP
|
|
|
|
|
|
P6KE6.8A |
|
Супрессор PV=600W, Vbr=6.8V, Ir-5mkA, Ifsm=100A
|
КИТАЙ
|
80
|
15.12
|
|
|
|
P6KE6.8A |
|
Супрессор PV=600W, Vbr=6.8V, Ir-5mkA, Ifsm=100A
|
GENERAL INSTRUMENT
|
|
|
|
|
|
P6KE6.8A |
|
Супрессор PV=600W, Vbr=6.8V, Ir-5mkA, Ifsm=100A
|
MOTOROLA
|
284
|
|
|
|
|
P6KE6.8A |
|
Супрессор PV=600W, Vbr=6.8V, Ir-5mkA, Ifsm=100A
|
DIOTEC
|
2 104
|
6.49
|
|
|
|
P6KE6.8A |
|
Супрессор PV=600W, Vbr=6.8V, Ir-5mkA, Ifsm=100A
|
YJ
|
9 215
|
3.35
|
|
|
|
P6KE6.8A |
|
Супрессор PV=600W, Vbr=6.8V, Ir-5mkA, Ifsm=100A
|
LITTELFUSE
|
|
|
|
|
|
P6KE6.8A |
|
Супрессор PV=600W, Vbr=6.8V, Ir-5mkA, Ifsm=100A
|
MIC
|
|
|
|
|
|
P6KE6.8A |
|
Супрессор PV=600W, Vbr=6.8V, Ir-5mkA, Ifsm=100A
|
LTL
|
|
|
|
|
|
P6KE6.8A |
|
Супрессор PV=600W, Vbr=6.8V, Ir-5mkA, Ifsm=100A
|
|
16 240
|
3.12
|
|
|
|
P6KE6.8A |
|
Супрессор PV=600W, Vbr=6.8V, Ir-5mkA, Ifsm=100A
|
LITTLEFUSE
|
|
|
|
|
|
P6KE6.8A |
|
Супрессор PV=600W, Vbr=6.8V, Ir-5mkA, Ifsm=100A
|
LITTELFUSE
|
4 808
|
10.60
|
|
|
|
P6KE6.8A |
|
Супрессор PV=600W, Vbr=6.8V, Ir-5mkA, Ifsm=100A
|
HOTTECH
|
3 719
|
6.97
|
|
|
|
P6KE6.8A |
|
Супрессор PV=600W, Vbr=6.8V, Ir-5mkA, Ifsm=100A
|
BRIGHTKING
|
|
|
|
|
|
P6KE6.8A |
|
Супрессор PV=600W, Vbr=6.8V, Ir-5mkA, Ifsm=100A
|
JJM
|
|
|
|
|
|
P6KE6.8A |
|
Супрессор PV=600W, Vbr=6.8V, Ir-5mkA, Ifsm=100A
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
P6KE6.8A |
|
Супрессор PV=600W, Vbr=6.8V, Ir-5mkA, Ifsm=100A
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
P6KE6.8A |
|
Супрессор PV=600W, Vbr=6.8V, Ir-5mkA, Ifsm=100A
|
RECTIFIER
|
217
|
12.60
|
|
|
|
P6KE6.8A |
|
Супрессор PV=600W, Vbr=6.8V, Ir-5mkA, Ifsm=100A
|
0.00
|
|
|
|
|
|
P6KE6.8A |
|
Супрессор PV=600W, Vbr=6.8V, Ir-5mkA, Ifsm=100A
|
|
|
|
|
|
|
P6KE6.8A |
|
Супрессор PV=600W, Vbr=6.8V, Ir-5mkA, Ifsm=100A
|
LGE
|
2 508
|
6.90
|
|
|
|
P6KE6.8A |
|
Супрессор PV=600W, Vbr=6.8V, Ir-5mkA, Ifsm=100A
|
KOME
|
1 210
|
3.39
|
|
|
|
P6KE6.8A |
|
Супрессор PV=600W, Vbr=6.8V, Ir-5mkA, Ifsm=100A
|
XSEMI
|
1 814
|
5.29
|
|
|
|
P6KE6.8A |
|
Супрессор PV=600W, Vbr=6.8V, Ir-5mkA, Ifsm=100A
|
YANGZHOU YANGJIE
|
4 014
|
9.87
|
|