Версия для печати
Технические характеристики VIPER20ADIP

Корпус	8-DIP
Корпус (размер)	8-DIP (0.300", 7.62mm)
Рабочая температура	25°C ~ 125°C
Мощность (Ватт)	57W
Напряжение выходное	700V
Напряжение входное	8 V ~ 15 V
Частотный диапозон	90 ~ 200kHz
Изоляция выхода	Isolated
Серия	VIPER™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

VIPER20A-22-E SMPS primary I.C Также в этом файле: VIPER20ADIP-E Производитель: STMicroelectronics //www.st.com VIPER20ADIP datasheet 575.13Kb 34стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Питание

 » 

AC/DC конверторы

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BU808DFH		Биполярный транзистор - [ISOWATT218]; Тип: NPN, Darlington; UКЭ(макс): 700 В; ...	ST MICROELECTRONICS
		BU808DFH		Биполярный транзистор - [ISOWATT218]; Тип: NPN, Darlington; UКЭ(макс): 700 В; ...			182.40
		BU808DFH		Биполярный транзистор - [ISOWATT218]; Тип: NPN, Darlington; UКЭ(макс): 700 В; ...	ST MICROELECTRONICS SEMI
		BU808DFH		Биполярный транзистор - [ISOWATT218]; Тип: NPN, Darlington; UКЭ(макс): 700 В; ...	ST1
		BU808DFX		Транзистор NPN+D Darl, 1400V, 8A, 62W, Tf<200nS	ST MICROELECTRONICS
		BU808DFX		Транзистор NPN+D Darl, 1400V, 8A, 62W, Tf<200nS	FAIR
		BU808DFX		Транзистор NPN+D Darl, 1400V, 8A, 62W, Tf<200nS			144.00
		BU808DFX		Транзистор NPN+D Darl, 1400V, 8A, 62W, Tf<200nS	JOYVIRT
		BU808DFX		Транзистор NPN+D Darl, 1400V, 8A, 62W, Tf<200nS	PMC
		BU808DFX		Транзистор NPN+D Darl, 1400V, 8A, 62W, Tf<200nS	ST1
		GS1G			MICRO SEMICONDUCTOR
		GS1G			PANJIT
		GS1G			DC COMPONENTS	435 514	1.40
		GS1G				7 920	1.27
		GS1G			MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI)
		GS1G			OTHER
		GS1G			PANJIT
		GS1G			MICROSEMI CORP
		GS1G			YT
		GS1G			HOTTECH
		GS1G			YANGJIE	20 000	1.25
		STGB10NB37LZ		IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый	ST MICROELECTRONICS
		STGB10NB37LZ		IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый		4	340.00
		STGB10NB37LZ		IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый	ST MICROELECTRONICS SEMI
		STGB10NB37LZ		IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый	STMicroelectronics
		STGB10NB37LZ		IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый	КИТАЙ
		STGB10NB37LZ		IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый	ST MICROELECTRO
		КТ117А		Транзистор кремниевый однопереходные с базой N-типа 300мВТ, 0,2МГц, 50мА	КРИСТАЛЛ
		КТ117А		Транзистор кремниевый однопереходные с базой N-типа 300мВТ, 0,2МГц, 50мА		1	166.50
		КТ117А		Транзистор кремниевый однопереходные с базой N-типа 300мВТ, 0,2МГц, 50мА	УЛЬЯНОВСК	468	357.00
		КТ117А		Транзистор кремниевый однопереходные с базой N-типа 300мВТ, 0,2МГц, 50мА	ИСКРА
		КТ117А		Транзистор кремниевый однопереходные с базой N-типа 300мВТ, 0,2МГц, 50мА	RUS
		КТ117А		Транзистор кремниевый однопереходные с базой N-типа 300мВТ, 0,2МГц, 50мА	НПП УРЛЗ

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"