Т25-4
|
|
Версия для печати
| Импульсное прямое в открытом сост напряж. / ток VTM/ITM | 1,90/10 |
| Тепловое сопротивление переход-корпус Rth(j-c) | 0,9 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 40193BT |
|
|
||||||
| 40193BT |
|
|
||||||
| 40193BT | 4-7 НЕДЕЛЬ | 103 |
|
|||||
| LM317 SOT-223 | UTC |
|
|
|||||
| LM317 SOT-223 |
|
|
||||||
| LM317 SOT-223 | 4-7 НЕДЕЛЬ | 415 |
|
|||||
| LM339DR | TEXAS INSTRUMENTS | 20 | 18.60 | |||||
| LM339DR | TEXAS INSTRUMENTS | 20 |
|
|||||
| LM339DR | Rohm Semiconductor |
|
|
|||||
| LM339DR | TEXAS |
|
|
|||||
| LM339DR | 160 | 6.20 | ||||||
| LM339DR | TEXASINSTRUMENTS |
|
|
|||||
| LM339DR | UMW-YOUTAI |
|
|
|||||
| LM339DR | YOUTAI | 523 | 3.17 | |||||
| LM339DR | UMW | 648 | 8.49 | |||||
| LM339DR | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|||||
| LM339DR | TEXAS INSTRUME |
|
|
|||||
| LM339DR | 209 |
|
|
|||||
| MC14538BDR2G | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| MC14538BDR2G | ONS |
|
|
|||||
| MC14538BDR2G |
|
|
||||||
| MC14538BDR2G | 4-7 НЕДЕЛЬ | 636 |
|
|||||
| S-93C46ADFJ-TB-G | SEIKO |
|
|
|||||
| S-93C46ADFJ-TB-G | SEIKO | 396 |
|
