IRFBC30
Транзистор полевой N-MOS 600V, 3.6A, 74W
|
|
Версия для печати
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.2 Ohm @ 2.2A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 3.6A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 31nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 660pF @ 25V |
| Power - Max | 74W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220AB |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRFBC30 N - Channel Powermesh Mosfet
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
1N4007 |
|
DC COMPONENTS | 102 050 | 1.49 | ||
|
|
|
1N4007 |
|
GENERAL SEMICONDUCTOR |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
LITE ON OPTOELECTRONICS |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
PANJIT |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
FSC |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
MCC |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
DIC |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
FAIR |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
PHILIPS |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
MIC | 440 920 | 1.47 | ||
|
|
|
1N4007 |
|
DIOTEC | 77 132 | 2.93 | ||
|
|
|
1N4007 |
|
ON SEMICONDUCTOR |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
LD |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
JGD |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
MING SHUN |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
MS |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
QUAN-HONG |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
XR |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
GALAXY |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
COMPACT TECHNOLOGY |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
DC COMPONENTS |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
FAIRCHILD | 288 |
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
GENERAL SEMICONDUCTOR | 1 |
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
LITE ON OPTOELECTRONICS |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
MASTER INSTRUMENT CORPORATION |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI) |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
ON SEMICONDUCTOR |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
PANJIT | 307 692 |
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
PHILIPS |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF. |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
YANGJIE SEMICONDUCT |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
Fairchild Semiconductor |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
MICROSEMI CORP |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
GD |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
JC |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
KINGTRONICS |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
YJ | 139 729 |
1.82 >100 шт. 0.91 |
||
|
|
|
1N4007 |
|
DIODES INC. |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
MIG |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
MICRO COMMERCIAL COMPONENTS |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
MOTOROLA |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
YJ ELE-NIC CORP |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
RECTIFIER |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
EXTRA COM-NTS |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
GALAXY ELECTRICAL |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
GEMBIRD |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
ТОМИЛИНО |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
EXTRA |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
КИТАЙ | 800 | 4.54 | ||
|
|
|
1N4007 |
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
MD |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
172 525 |
1.66 >100 шт. 0.83 |
|||
|
|
|
1N4007 |
|
ONS-FAIR |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
ONS |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
ELZET |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
GALAXY ME |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
LGE | 15 251 | 1.03 | ||
|
|
|
1N4007 |
|
HOTTECH | 136 632 | 1.23 | ||
|
|
|
1N4007 |
|
KLS | 49 600 | 2.07 | ||
|
|
|
1N4007 |
|
YS | 2 311 | 1.36 | ||
|
|
|
1N4007 |
|
YANGJIE |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
YANGJIE (YJ) |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
MC |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
FAIRCHILD |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
WUXI XUYANG |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
KUU |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
CHINA | 14 461 | 1.09 | ||
|
|
|
1N4007 |
|
SUNRISETRON |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
UNKNOWN |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
BILIN |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
KEHE |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
1 |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
BL |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
SUNTAN | 71 157 | 1.92 | ||
|
|
|
1N4007 |
|
TWGMC | 22 412 |
1.05 >500 шт. 0.35 |
||
|
|
|
1N4007 |
|
CTK |
|
|
||
|
|
|
1N4007 |
|
JUXING | 85 | 1.57 | ||
|
|
|
1N4007 |
|
ASEMI | 1 | 1.11 | ||
|
|
|
1N4007 |
|
YANGZHOU YANGJIE |
|
|
||
 |
|
IRF7301 |
|
Сдвоенный N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=5.2A@t=25C, Id=4.1A@t=70C) | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRF7301 |
|
Сдвоенный N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=5.2A@t=25C, Id=4.1A@t=70C) |
|
62.40 | ||
|
|
|
IRF7301 |
|
Сдвоенный N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=5.2A@t=25C, Id=4.1A@t=70C) | INTERNATIONAL RECTIFIER | 225 |
|
|
|
|
|
IRF7301 |
|
Сдвоенный N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=5.2A@t=25C, Id=4.1A@t=70C) | ТАИЛАНД |
|
|
|
|
|
|
IRF7301 |
|
Сдвоенный N-канальный полевой транзистор (Vds=20V, Id=5.2A@t=25C, Id=4.1A@t=70C) | INFINEON |
|
|
|
| IRF7343TR | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|||||
| IRF7343TR | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|||||
| IRF7343TR | INFINEON |
|
|
|||||
| IRF7343TR | VBSEMI | 25 839 | 23.68 | |||||
| IRF7343TR | UMW-YOUTAI |
|
|
|||||
| IRF7343TR | YOUTAI | 20 099 | 12.41 | |||||
 |
|
LM358 |
|
Низкопотребляющий двухканальный операционный усилитель | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|
|
|
|
LM358 |
|
Низкопотребляющий двухканальный операционный усилитель | 23 680 | 2.42 | ||
|
|
|
LM358 |
|
Низкопотребляющий двухканальный операционный усилитель | МИКРОН |
|
|
|
|
|
|
LM358 |
|
Низкопотребляющий двухканальный операционный усилитель | 23 680 | 2.42 | ||
|
|
|
LM358 |
|
Низкопотребляющий двухканальный операционный усилитель | HOTTECH | 3 920 | 3.48 | |
|
|
|
LM358 |
|
Низкопотребляющий двухканальный операционный усилитель | JSMICRO | 6 303 | 2.17 | |
|
|
|
LM358 |
|
Низкопотребляющий двухканальный операционный усилитель | 4-7 НЕДЕЛЬ | 754 |
|
|
| ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 4.8 ПРОЗР. 0.5М |
|
|
||||||
| ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 4.8 ПРОЗР. 0.5М | ПОЛЬША |
|
|
|||||
| ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 4.8 ПРОЗР. 0.5М | ГЕРМАНИЯ |
|
|
