Версия для печати
Технические характеристики IRFP4368PBF

Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.85 mOhm @ 195A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	75V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	195A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	570nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	19230pF @ 50V
Power - Max	520W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-247-3 (TO-247AC)
Корпус	TO-247AC

IRFP4368PbF (MOSFET) HEXFET Power MOSFET Производитель: International Rectifier (IRF) IRFP4368PBF datasheet 277.7 Кб

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BC856A		Транзистор PNP (Uce=65V, Ic=0.1A, P=300mW, B=125-250@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR	800	6.80
		BC856A		Транзистор PNP (Uce=65V, Ic=0.1A, P=300mW, B=125-250@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)	FAIR
		BC856A		Транзистор PNP (Uce=65V, Ic=0.1A, P=300mW, B=125-250@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)	NXP
		BC856A		Транзистор PNP (Uce=65V, Ic=0.1A, P=300mW, B=125-250@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)	PHILIPS
		BC856A		Транзистор PNP (Uce=65V, Ic=0.1A, P=300mW, B=125-250@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)			6.80
		BC856A		Транзистор PNP (Uce=65V, Ic=0.1A, P=300mW, B=125-250@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)	NXP	4 399
		BC856A		Транзистор PNP (Uce=65V, Ic=0.1A, P=300mW, B=125-250@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)	PHILIPS
		BC856A		Транзистор PNP (Uce=65V, Ic=0.1A, P=300mW, B=125-250@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)	ONS
		BC856A		Транзистор PNP (Uce=65V, Ic=0.1A, P=300mW, B=125-250@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)	КИТАЙ
		BC856A		Транзистор PNP (Uce=65V, Ic=0.1A, P=300mW, B=125-250@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)	DIOTEC
		BC856A		Транзистор PNP (Uce=65V, Ic=0.1A, P=300mW, B=125-250@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)	YJ	21 029	1.16
		BC856A		Транзистор PNP (Uce=65V, Ic=0.1A, P=300mW, B=125-250@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)	NEXPERIA
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)		19	16.23
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRONICS	11 644	20.76
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRONICS SEMI
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	STMICROELECTRONICS
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ИНДИЯ
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	PILIPINES
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST1
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRO
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	STMICROELECTR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	CHANGJIANG
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	KLS
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	HOTTECH	1 046	10.28
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	CHINA
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	JSCJ	9 968	7.91
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	1
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ИМОРТ
		PC817		Оптопаpа CTR 50%(5mA), Vce=35V	SHARP
		PC817		Оптопаpа CTR 50%(5mA), Vce=35V		4	20.35
		PC817		Оптопаpа CTR 50%(5mA), Vce=35V	SHARP
		PC817		Оптопаpа CTR 50%(5mA), Vce=35V	КИТАЙ
		PC817		Оптопаpа CTR 50%(5mA), Vce=35V	FAIRCHILD
		PC817		Оптопаpа CTR 50%(5mA), Vce=35V	4-7 НЕДЕЛЬ	509
		TL431		SMPS усилитель ошибки, 2.5-36V/0.1A	HTC KOREA SEMICONDUCTORS
		TL431		SMPS усилитель ошибки, 2.5-36V/0.1A		16 544	4.18
		TL431		SMPS усилитель ошибки, 2.5-36V/0.1A	ПЛАНЕТА
		TL431		SMPS усилитель ошибки, 2.5-36V/0.1A	HTC KOREA SEMICONDUCTORS
		TL431		SMPS усилитель ошибки, 2.5-36V/0.1A	HOTTECH	48 130	8.57
		TL431		SMPS усилитель ошибки, 2.5-36V/0.1A	HTC
		TL431		SMPS усилитель ошибки, 2.5-36V/0.1A	ZH	31 200	5.10
		TL431		SMPS усилитель ошибки, 2.5-36V/0.1A	UMW-YOUTAI
		TL431		SMPS усилитель ошибки, 2.5-36V/0.1A	YOUTAI	7 107	1.96
		TL431		SMPS усилитель ошибки, 2.5-36V/0.1A	UMV	4 000	2.66
		TL431		SMPS усилитель ошибки, 2.5-36V/0.1A	4-7 НЕДЕЛЬ	240
		TL494CN		SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz	TEXAS INSTRUMENTS	80	37.80
		TL494CN		SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz	MOTOROLA	80	37.80
		TL494CN		SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz		10	42.55
		TL494CN		SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz	TEXAS	1 654	33.54
		TL494CN		SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz	TEXAS INSTRUMENTS
		TL494CN		SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz	ON Semiconductor
		TL494CN		SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz	TEXAS INSTR
		TL494CN		SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz	МАЛАЙЗИЯ
		TL494CN		SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz	ONS
		TL494CN		SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz	TEXAS INSTRUMEN
		TL494CN		SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz	1
		TL494CN		SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz	JSMSEMI	32	38.85
		TL494CN		SMPS упpавл. 2-х такт. пpеобpазов., 0.5A, 200 kHz	4-7 НЕДЕЛЬ	757

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"