| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
SPRAGUE
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
CDIL
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
UTC
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
DC COMPONENTS
|
14 820
|
3.54
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
DIOTEC
|
11 442
|
3.98
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ON Semiconductor
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ONS
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
КИТАЙ
|
712
|
13.27
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
INCHANGE SEMIC
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
МИНСК
|
2 052
|
4.24
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
|
2 000
|
2.00
>100 шт. 1.00
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
INCHANGE
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ON SEMI/FAIRCH
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
HOTTECH
|
57 420
|
0.55
>1000 шт. 0.11
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
KLS
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
LGE
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
CHINA
|
22 400
|
2.00
>100 шт. 1.00
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ZH
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
OLITECH
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
CJ
|
4 580
|
1.77
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
1
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
KEEN SIDE
|
15 992
|
1.48
>100 шт. 0.74
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
MERRYELC
|
2 000
|
1.94
>100 шт. 0.97
|
|
|
|
|
BC856A |
|
Транзистор PNP (Uce=65V, Ic=0.1A, P=300mW, B=125-250@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
800
|
7.81
|
|
|
|
|
BC856A |
|
Транзистор PNP (Uce=65V, Ic=0.1A, P=300mW, B=125-250@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
BC856A |
|
Транзистор PNP (Uce=65V, Ic=0.1A, P=300mW, B=125-250@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BC856A |
|
Транзистор PNP (Uce=65V, Ic=0.1A, P=300mW, B=125-250@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
BC856A |
|
Транзистор PNP (Uce=65V, Ic=0.1A, P=300mW, B=125-250@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
|
|
6.80
|
|
|
|
|
BC856A |
|
Транзистор PNP (Uce=65V, Ic=0.1A, P=300mW, B=125-250@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
NXP
|
4 399
|
|
|
|
|
|
BC856A |
|
Транзистор PNP (Uce=65V, Ic=0.1A, P=300mW, B=125-250@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
BC856A |
|
Транзистор PNP (Uce=65V, Ic=0.1A, P=300mW, B=125-250@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
BC856A |
|
Транзистор PNP (Uce=65V, Ic=0.1A, P=300mW, B=125-250@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
BC856A |
|
Транзистор PNP (Uce=65V, Ic=0.1A, P=300mW, B=125-250@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
|
BC856A |
|
Транзистор PNP (Uce=65V, Ic=0.1A, P=300mW, B=125-250@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
YJ
|
20 848
|
1.74
>100 шт. 0.87
|
|
|
|
|
BC856A |
|
Транзистор PNP (Uce=65V, Ic=0.1A, P=300mW, B=125-250@I=2mA, f>250MHz, -55 to +150C)
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BCX41 |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 125V 0,8A 0,33W B>25
|
INFINEON
|
579
|
16.96
|
|
|
|
BCX41 |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 125V 0,8A 0,33W B>25
|
|
2
|
42.55
|
|
|
|
BCX41 |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 125V 0,8A 0,33W B>25
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
BCX41 |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 125V 0,8A 0,33W B>25
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BCX41 |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 125V 0,8A 0,33W B>25
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
BCX41 |
|
Транзистор биполярный SMD NPN 125V 0,8A 0,33W B>25
|
HOTTECH
|
8 760
|
2.85
|
|
|
|
FSGM300N |
|
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
FSGM300N |
|
|
FSC1
|
|
|
|
|
|
FSGM300N |
|
|
|
|
|
|
|
|
FSGM300N |
|
|
FSC
|
|
|
|
|
|
FSGM300N |
|
|
ONS
|
|
|
|
|
|
FSGM300N |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
533
|
|
|
|
|
|
L6590 (N) |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
L6590 (N) |
|
|
|
|
139.76
|
|
|
|
|
L6590 (N) |
|
|
СИНГАПУР
|
|
|
|
|
|
|
L6590 (N) |
|
|
ST1
|
|
|
|
|
|
|
L6590 (N) |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
44
|
|
|