Версия для печати
Технические характеристики L7815ABD2T-TR

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Топология регулятора	Positive Fixed
Напряжение выходное	15V
Напряжение входное	Up to 35V
Напряжение - падение (Typ.)	2V @ 1A
Число регуляторов	1
Ток выходной	1.5A
Рабочая температура	-40°C ~ 125°C
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
Корпус	D2PAK

Линейный стабилизатор напряжения положительная полярность , повышеная точность, 15В, 1.5А, 4% L7815ABD2T-TR datasheet 2,09MB 57стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Питание

 » 

Регуляторы напряжения

 » 

Регуляторы напряжения линейные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FAI/QTC
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FAIR
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR	800	12.49
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	MOTOROLA
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NXP
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	PHILIPS
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	TOSHIBA
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	DC COMPONENTS	13 558	6.37
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FSC
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	UTC
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	DIOTEC	492	4.45
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	МИНСК
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FAIRCHILD
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	MOTOROLA
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	OTHER
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NS
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	KEC
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)		888	1.07
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	TOSHIBA
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	---
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NO TRADEMARK
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	MULTICOMP
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	HOTTECH	34	1.44  >100 шт.   0.72
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	KLS
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	КИТАЙ
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	CHINA	9 576	1.22
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	ZH
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	ASEMI	2 272	1.11
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	KEEN SIDE
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	MERRYELC
		2N5551		Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	RUME
		L7812ABD2T-TR			ST MICROELECTRONICS	1	35.28
		L7812ABD2T-TR					40.88
		L7812ABD2T-TR			STMicroelectronics
		L7812ABD2T-TR			КИТАЙ
		L7812ABD2T-TR			ST MICROELECTRONICS SEMI
		L7812ABD2T-TR			ST MICROELECTRO
		L7812ABD2T-TR			4-7 НЕДЕЛЬ
		L7812ABD2T-TR			2
		MAX487ESA+		Приемопередатчик RS-485 and RS-422 , 1D/1R, Bitrate=0,25Mb/s, Vs=5V, -40 to +85C	MAXIM	12	45.65
		MAX487ESA+		Приемопередатчик RS-485 and RS-422 , 1D/1R, Bitrate=0,25Mb/s, Vs=5V, -40 to +85C
		MAX487ESA+		Приемопередатчик RS-485 and RS-422 , 1D/1R, Bitrate=0,25Mb/s, Vs=5V, -40 to +85C	MAX
		MAX487ESA+		Приемопередатчик RS-485 and RS-422 , 1D/1R, Bitrate=0,25Mb/s, Vs=5V, -40 to +85C	MAXIM
		MAX487ESA+		Приемопередатчик RS-485 and RS-422 , 1D/1R, Bitrate=0,25Mb/s, Vs=5V, -40 to +85C	Maxim Integrated Products
		MAX487ESA+		Приемопередатчик RS-485 and RS-422 , 1D/1R, Bitrate=0,25Mb/s, Vs=5V, -40 to +85C	ФИЛИППИНЫ
		MAX487ESA+		Приемопередатчик RS-485 and RS-422 , 1D/1R, Bitrate=0,25Mb/s, Vs=5V, -40 to +85C	MAX1
		MAX487ESA+		Приемопередатчик RS-485 and RS-422 , 1D/1R, Bitrate=0,25Mb/s, Vs=5V, -40 to +85C	MAXIM INTEGR
		MAX487ESA+		Приемопередатчик RS-485 and RS-422 , 1D/1R, Bitrate=0,25Mb/s, Vs=5V, -40 to +85C	15
		TLP521-1GB		Оптопара транзисторная	TOSHIBA	2 080	50.63
		TLP521-1GB		Оптопара транзисторная		4	55.80
		TLP521-1GB		Оптопара транзисторная	TOS
		TLP521-1GB		Оптопара транзисторная	ТАИЛАНД
		TLP521-1GB		Оптопара транзисторная	ISOCOM
		TLP521-1GB		Оптопара транзисторная
		TLP521-1GB		Оптопара транзисторная	CHINA
		TLP521-1GB		Оптопара транзисторная	ISO
		TLP521-1GB		Оптопара транзисторная	1
		TLP521-1GB		Оптопара транзисторная	КИТАЙ	57	18.76
		VS-20CTQ150			VISHAY
		VS-20CTQ150				116	83.70

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"