TLV2461IDBVR

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
TLV2461IDBVR		358.80
TLV2461IDBVR (4-7 НЕДЕЛЬ)	251	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики TLV2461IDBVR

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Тип усилителя	General Purpose
Число каналов	1
Тип выхода	Rail-to-Rail
Скорость нарастания выходного напряжения	1.6 V/µs
Полоса пропускания	6.4MHz
Ток - входного смещения	1.3nA
Напряжение входного смещения	500µV
Ток выходной	550µA
Ток выходной / канал	80mA
Напряжение-выходное, Single/Dual (±)	2.7 V ~ 6 V, ±1.35 V ~ 3 V
Рабочая температура	-40°C ~ 125°C
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	SC-74A, SOT-753
Корпус	SOT-23-5
Output Type	Rail-to-Rail

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
FM25H20-DG	Память FRAM, 256 Кбайт, SPI, неогр.кол-во циклов, Uпит=3В, -40°:+85°С, Pb-Free	RAMTRON
FM25H20-DG	Память FRAM, 256 Кбайт, SPI, неогр.кол-во циклов, Uпит=3В, -40°:+85°С, Pb-Free	RAM
FM25H20-DG	Память FRAM, 256 Кбайт, SPI, неогр.кол-во циклов, Uпит=3В, -40°:+85°С, Pb-Free			2 160.00
FM25H20-DG	Память FRAM, 256 Кбайт, SPI, неогр.кол-во циклов, Uпит=3В, -40°:+85°С, Pb-Free	ТАИЛАНД
FM25H20-DG	Память FRAM, 256 Кбайт, SPI, неогр.кол-во циклов, Uпит=3В, -40°:+85°С, Pb-Free	CYPR
FM25H20-DG	Память FRAM, 256 Кбайт, SPI, неогр.кол-во циклов, Uпит=3В, -40°:+85°С, Pb-Free	CYP
FM25H20-DG	Память FRAM, 256 Кбайт, SPI, неогр.кол-во циклов, Uпит=3В, -40°:+85°С, Pb-Free	4-7 НЕДЕЛЬ	132
MUSB-D111-31		Amphenol Commercial Products
MUSB-D111-31
REF02CP	ИМС ИОН 5В	ANALOG DEVICES
REF02CP	ИМС ИОН 5В			210.28
REF02CP	ИМС ИОН 5В	ANALOG DEVICES	2
REF02CP	ИМС ИОН 5В	Analog Devices Inc
REF02CP	ИМС ИОН 5В	4-7 НЕДЕЛЬ	538
TLV2548IDW		TEXAS INSTRUMENTS
TLV2548IDW				1 655.48
TLV2548IDW		TEXAS
TLV2548IDW		4-7 НЕДЕЛЬ	489
ZMC05TA		Diodes/Zetex
ZMC05TA