| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
DC COMPONENTS
|
161 320
|
2.47
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
DIC
|
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
DIOTEC
|
8
|
1.94
>100 шт. 0.97
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
|
7 295
|
1.17
>500 шт. 0.39
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
UTC
|
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
TSC
|
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
YJ
|
378 385
|
3.03
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
HOTTECH
|
155 517
|
1.73
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
0.00
|
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
KLS
|
11 200
|
2.07
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
JSCJ
|
163 562
|
1.88
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
1
|
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
JINGDAO
|
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
MDD
|
51 923
|
1.70
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
JSMICRO
|
47 692
|
2.03
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
XXW
|
11 692
|
1.35
>500 шт. 0.45
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
KEEN SIDE
|
70
|
1.06
>100 шт. 0.53
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
MERRYELC
|
2 400
|
1.22
>100 шт. 0.61
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
ST MICROELECTRONICS
|
64
|
1.20
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
988
|
|
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
RUME
|
36 000
|
1.17
>500 шт. 0.39
|
|
|
|
1N4148W |
|
кремниевыйц диод 75V, 150mA, 350мВт
|
TRR
|
235 196
|
1.20
>500 шт. 0.40
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
DC COMPONENTS
|
35 934
|
3.69
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
NXP
|
1 504
|
1.86
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
UTC
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
CHENMKO ENTERPRISE CO, LTD
|
119
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
FAIRCHILD
|
1 733
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
PHILIPS
|
4
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
SILICONIX
|
98
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
ZETEX
|
336
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
NXP
|
395
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
SILICON POWER
|
124
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
POWERSILICON INCORPORATED
|
122
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
GALAXY
|
342
|
2.30
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
2
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
|
36
|
9.30
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
FAIRCHILD
|
16
|
1.86
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
FSC
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
ONS
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
ON SEMICONDUCTOR
|
800
|
12.49
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
PHILIPS
|
80
|
12.49
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
NEXPERIA
|
108
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
LRC
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
HOTTECH
|
7
|
2.18
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
KLS
|
5 514
|
3.73
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
LGE
|
4
|
2.22
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
YJ
|
331 660
|
3.21
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
KOME
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
DIOTEC
|
56 493
|
2.74
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
JANGJIE
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
YOUTAI
|
107 181
|
2.76
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
ASEMI
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
UMW-YOUTAI
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
CJ
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
UWM
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
SUNTAN
|
839
|
1.72
>100 шт. 0.86
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
SHIKUES
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
KUU
|
70 101
|
1.85
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
JSCJ
|
55 548
|
2.99
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
SLKOR
|
640
|
1.56
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
KLS ELECTRONIC
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
MERRYELC
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
1980
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
40
|
|
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
KEEN SIDE
|
21 960
|
1.42
>100 шт. 0.71
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
INFINEON
|
114
|
41.73
|
|
|
|
2N7002 |
|
Транзистор полевой маломощный N-канальный MOSFET 60В, 220мА, 1Вт
|
PLINGSEMIC
|
340
|
1.38
>100 шт. 0.69
|
|
|
|
NE555D |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
NEC
|
|
|
|
|
|
NE555D |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
NE555D |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
NE555D |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
SGS
|
|
|
|
|
|
NE555D |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
SIGNETICS
|
|
|
|
|
|
NE555D |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
ST MICROELECTRONICS
|
532
|
34.36
|
|
|
|
NE555D |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
NE555D |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
UTC
|
|
|
|
|
|
NE555D |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
NE555D |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
SGS THOMSON
|
|
|
|
|
|
NE555D |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
SIGNETICS
|
|
|
|
|
|
NE555D |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
NE555D |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
NE555D |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
NE555D |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
NE555D |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
|
1
|
44.93
|
|
|
|
NE555D |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
HTC TAEJIN
|
232
|
15.50
|
|
|
|
NE555D |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
HTC
|
2 060
|
20.60
|
|
|
|
NE555D |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
|
|
|
|
|
NE555D |
|
Таймер интегральный Выходов: 1; F макс: 500 кГц; Технология: Bipolar; Ucc: 4.5...18 В; ...
|
TAEJIN TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
RC0603JR-075K1 |
|
Чип-резистор 0.063Вт, 0603, 5%, 5.1 К
|
YAGEO
|
|
|
|
|
|
RC0805JR-074K7 |
|
Резистор SMD, 0805, 4.7кОм, 0.125Вт, 5%
|
PHYCOMP
|
|
|
|
|
|
RC0805JR-074K7 |
|
Резистор SMD, 0805, 4.7кОм, 0.125Вт, 5%
|
YAGEO
|
|
|
|