Версия для печати
Технические характеристики IRFS52N15D

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	HEXFET®
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	32 mOhm @ 36A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	150V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	51A
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	89nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	2770pF @ 25V
Power - Max	3.8W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
Корпус	D2PAK

IRFS52N15D (MOSFET) HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel Производитель: International Rectifier (IRF) IRFS52N15D datasheet 340.8 Кб

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2SC3357 SMD		Биполярный транзистор 12В, 100мА, 1,2Вт	NEC
		2SC3357 SMD		Биполярный транзистор 12В, 100мА, 1,2Вт			36.00
		BC847A		Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)		40 560	1.24  >100 шт.   0.62
		BC847A		Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)	FAIR
		BC847A		Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)	NXP
		BC847A		Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)	PHILIPS
		BC847A		Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)	DC COMPONENTS	2 456	2.11
		BC847A		Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)	DIOTEC
		BC847A		Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)	FAIRCHILD
		BC847A		Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)	DI
		BC847A		Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)	FAIRCHILD
		BC847A		Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)	NXP	36 964
		BC847A		Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)	PHILIPS
		BC847A		Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)	ONS
		BC847A		Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)	PHILIPS SEMIC
		BC847A		Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)	КИТАЙ
		BC847A		Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)	DIODES
		BC847A		Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)	HOTTECH	38 824	1.68  >100 шт.   0.84
		BC847A		Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)	KLS
		BC847A		Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)	SUNTAN	640	2.00  >100 шт.   1.00
		BC847A		Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)	YJ	358 459	1.82  >100 шт.   0.91
		BC847A		Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)	XSEMI	32 306	1.58  >100 шт.   0.79
		BC847A		Транзистор NPN (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, -55 to +150C)	YANGZHOU YANGJIE
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)		16	45.36
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRONICS	121	16.80
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRONICS SEMI
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	STMICROELECTRONICS
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ИНДИЯ
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	PILIPINES
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST1
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRO
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	STMICROELECTR
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	CHANGJIANG
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	KLS
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	HOTTECH	692	10.74
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	CHINA
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	JSCJ	8 892	8.58
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	1
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ИМОРТ
		BD139		Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	NXP	560	3.58
		HFA30PA60CPBF		Диод выпрямительный 19нс, 600В, 15А, 74Вт	VISHAY
		HFA30PA60CPBF		Диод выпрямительный 19нс, 600В, 15А, 74Вт	Vishay/Semiconductors
		HFA30PA60CPBF		Диод выпрямительный 19нс, 600В, 15А, 74Вт
		LM2676S-ADJ		Микросхема 3A STEP-DOWN regulowany TO263	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LM2676S-ADJ		Микросхема 3A STEP-DOWN regulowany TO263			270.12
		LM2676S-ADJ		Микросхема 3A STEP-DOWN regulowany TO263	NSC
		LM2676S-ADJ		Микросхема 3A STEP-DOWN regulowany TO263	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LM2676S-ADJ		Микросхема 3A STEP-DOWN regulowany TO263	TEXAS INSTRUMENTS
		LM2676S-ADJ		Микросхема 3A STEP-DOWN regulowany TO263	4-7 НЕДЕЛЬ	561

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"