Версия для печати
Технические характеристики КР293КП3В

Коммутируемое напряжение	Пост/перем.
Управляющий ток,мА	10
Выходной каскад	МОП реле(2з)
Контакты	НР
Коммутируемое пост.напряжение ,В	-400...400
Коммутируемое переменное напряжение ,В	0...400
Максимальный ток нагрузки ,А	0.06
Время включения макс.,мс	2
Время выключения макс,,мс	2
Сопротивление в открытом состоянии макс.,Ом	40
Напряжение изоляции,кВ	1.5
Рабочая температура, С	-45...85
Корпус	DIP-8

КАТАЛОГ

 » 

ОТЕЧЕСТВЕННЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

МИКРОСХЕМЫ

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		MJE350		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...	ON SEMICONDUCTOR
		MJE350		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...	FAIR
		MJE350		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...	MOTOROLA
		MJE350		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...	ST MICROELECTRONICS
		MJE350		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...			40.56
		MJE350		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...	MOTOROLA	17
		MJE350		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...	ON SEMICONDUCTOR
		MJE350		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...	STMicroelectronics
		MJE350		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...	FAIRCHILD
		MJE350		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...	FAIRCHILD
		MJE350		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...	США
		MJE350		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
		MJE350		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...	ИНДИЯ
		MJE350		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...	ST MICROELECTRO
		MJE350		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...	ON SEMI/FAIRCH
		MJE350		Транзистор биполярный средней мощности PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 ...	ONSEMICONDUCTOR
		SI9114ADY			SILICONIX
		SI9114ADY			VISHAY
		SI9114ADY					884.00
		SI9114ADY			SILICONIX	2
		TISP7180H3SL			BOURNS
		TISP7180H3SL
		TISP7180H3SL			BOURNS
		TISP7180H3SL			Bourns Inc
		W10M		Диодный мост 0,5A 1000V	TAIWAN SEMICONDUCTOR
		W10M		Диодный мост 0,5A 1000V	DC COMPONENTS	5 598	21.41
		W10M		Диодный мост 0,5A 1000V	GENERAL INSTRUMENT
		W10M		Диодный мост 0,5A 1000V		1 890	6.99
		W10M		Диодный мост 0,5A 1000V	GALAXY
		W10M		Диодный мост 0,5A 1000V	GENERAL INSTRUMENT
		W10M		Диодный мост 0,5A 1000V	TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
		W10M		Диодный мост 0,5A 1000V	КИТАЙ
		W10M		Диодный мост 0,5A 1000V	MCC
		W10M		Диодный мост 0,5A 1000V	YJ
		W10M		Диодный мост 0,5A 1000V	MIC
		W10M		Диодный мост 0,5A 1000V	GALAXY ME
		W10M		Диодный мост 0,5A 1000V	KINGTRONICS
		W10M		Диодный мост 0,5A 1000V	HOTTECH	3 724	5.99
		W10M		Диодный мост 0,5A 1000V	WUXI XUYANG
		W10M		Диодный мост 0,5A 1000V	SEMTECH
		W10M		Диодный мост 0,5A 1000V	YANGJIE (YJ)
		W10M		Диодный мост 0,5A 1000V	KLS
		W10M		Диодный мост 0,5A 1000V	TRR
		W10M		Диодный мост 0,5A 1000V	RUME	4 000	5.91
		W10M		Диодный мост 0,5A 1000V	LGE	3 871	7.93
		W10M		Диодный мост 0,5A 1000V	SEP	205	7.17
		W10M		Диодный мост 0,5A 1000V	MERRYELC
		W10M		Диодный мост 0,5A 1000V	KEEN SIDE	2 320	6.30
		W10M		Диодный мост 0,5A 1000V	4465
		КР1554КП7			ЗПП
		КР1554КП7					47.40

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"