| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
IR2101 |
|
PBF, H/L прямой драйвер 600В, 130мА, DIP8
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
80
|
253.76
|
|
|
|
IR2101 |
|
PBF, H/L прямой драйвер 600В, 130мА, DIP8
|
|
|
119.28
|
|
|
|
IR2101 |
|
PBF, H/L прямой драйвер 600В, 130мА, DIP8
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
IR2101 |
|
PBF, H/L прямой драйвер 600В, 130мА, DIP8
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IR2101 |
|
PBF, H/L прямой драйвер 600В, 130мА, DIP8
|
1
|
|
|
|
|
|
IR2101 |
|
PBF, H/L прямой драйвер 600В, 130мА, DIP8
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
740
|
|
|
|
|
К1156ЕУ2АТ |
|
|
|
20
|
480.00
|
|
|
|
К1156ЕУ2АТ |
|
|
НТЦ СИТ
|
|
|
|
|
|
К1156ЕУ2АТ |
|
|
СИТ
|
28
|
763.20
|
|
|
|
К1156ЕУ2АТ |
|
|
НТЦ
|
|
|
|
|
|
К1156ЕУ2АТ |
|
|
БРЯНСК
|
340
|
1 123.60
|
|
|
|
К1156ЕУ2АТ |
|
|
КРЕМНИЙ
|
8
|
917.44
|
|
|
|
КД243Д |
|
|
|
248
|
5.89
|
|
|
|
КД243Д |
|
|
НПП ТЭЗ
|
|
|
|
|
|
КД243Д |
|
|
ТОМИЛИНО
|
|
|
|
|
|
КД243Д |
|
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ
|
|
|
|
|
|
КД243Д |
|
|
СЗТП
|
80
|
8.59
|
|
|
|
КД243Д |
|
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КД243Д |
|
|
ТЕРРА
|
|
|
|
|
|
КД243Д |
|
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
|
|
|
|
|
|
КС222Ж |
|
стекло
|
|
4 644
|
7.75
|
|
|
|
КС222Ж |
|
стекло
|
НЗПП
|
712
|
17.56
|
|
|
|
КС222Ж |
|
стекло
|
НОВОСИБИРСКИЙ ЗПП
|
|
|
|
|
|
КС222Ж |
|
стекло
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КС222Ж |
|
стекло
|
СЗТП
|
40
|
74.18
|
|
|
|
КС222Ж |
|
стекло
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
|
512
|
13.62
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
612
|
16.40
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
БРЯНСК
|
172
|
16.96
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
МИНСК
|
3 272
|
16.96
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
ВОРОНЕЖ
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
ТРАНЗИСТОР
|
3
|
12.31
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
115
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
1872
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
420
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
558
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
6
|
|
|
|
|
|
КТ315Г1 |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный
|
4
|
|
|
|