К73-17-0.68МКФ 250В (10%)

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FAI/QTC
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FAIR
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR	800	12.49
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	MOTOROLA
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NATIONAL SEMICONDUCTOR
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NXP
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	PHILIPS
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	TOSHIBA
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	DC COMPONENTS	21 920	3.46
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FSC
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	UTC
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	DIOTEC	2 694	4.16
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	МИНСК
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	FAIRCHILD
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	MOTOROLA
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	OTHER
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NS
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	KEC
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)		20 648	1.07
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	TOSHIBA
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	---
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	NO TRADEMARK
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	MULTICOMP
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	HOTTECH	232	1.36 >100 шт. 0.68
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	KLS
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	КИТАЙ
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	CHINA	9 576	1.16
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	ZH
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	ASEMI	3 345	1.05
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	KEEN SIDE	4 123	1.72 >100 шт. 0.86
2N5551	Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)	MERRYELC	2 056	1.26
HER108	Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	DIODES
HER108	Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	MCC
HER108	Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления		8 380	1.07
HER108	Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	WTE
HER108	Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	GALAXY
HER108	Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
HER108	Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	MIC	13 791	1.37
HER108	Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	КИТАЙ
HER108	Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
HER108	Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	TAIWAN SEMICONDUCTOR
HER108	Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	GALAXY ME
HER108	Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	KINGTRONICS
HER108	Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	SUNTAN	903	2.37
HER108	Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	KLS
HER108	Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	WUXI XUYANG
HER108	Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	HOTTECH
HER108	Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	YANGJIE
HER108	Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	YANGJIE (YJ)
HER108	Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	YJ
HER108	Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	CTK	154	4.41
HER108	Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	YIXING
HER108	Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	KOME	4 736	2.26
HER108	Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	KEEN SIDE
HER108	Диод высокоэффективный 1А, 1000В с малым временем восстановления	RUME	8 000	1.27
MCR100-8	Тиристор 600В 0.8A	ON SEMICONDUCTOR
MCR100-8	Тиристор 600В 0.8A			21.36
MCR100-8	Тиристор 600В 0.8A	UTC
MCR100-8	Тиристор 600В 0.8A	ONS
MCR100-8	Тиристор 600В 0.8A	OTHER	517
MCR100-8	Тиристор 600В 0.8A	ON SEMIC
MCR100-8	Тиристор 600В 0.8A	ISC	1 670	5.92
MCR100-8	Тиристор 600В 0.8A	SEMTECH	4 023	3.91
MCR100-8	Тиристор 600В 0.8A	MOTOROLA
MCR100-8	Тиристор 600В 0.8A	LGE	5 840	4.13
М2000НМ1-36 К45Х28Х8				152.00
М2000НМ1-36К20Х12Х6
М2000НМ1-36К20Х12Х6		ОАО "НЕВА-ФЕРРИТ"