| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
| Resistor - Base (R1) (Ohms) | 10K |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 1mA, 5V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 10mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
| Power - Max | 250mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | TO-236AB |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
|
1N5401 |
|
Выпрямительный диод 100V, 3A
|
DC COMPONENTS
|
17 116
|
4.64
|
|
|
|
|
1N5401 |
|
Выпрямительный диод 100V, 3A
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
1N5401 |
|
Выпрямительный диод 100V, 3A
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
|
1N5401 |
|
Выпрямительный диод 100V, 3A
|
SMK
|
|
|
|
|
|
|
1N5401 |
|
Выпрямительный диод 100V, 3A
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
1N5401 |
|
Выпрямительный диод 100V, 3A
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
1N5401 |
|
Выпрямительный диод 100V, 3A
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
1N5401 |
|
Выпрямительный диод 100V, 3A
|
RECTRON
|
|
|
|
|
|
|
1N5401 |
|
Выпрямительный диод 100V, 3A
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
|
|
|
|
|
|
|
1N5401 |
|
Выпрямительный диод 100V, 3A
|
MICROSEMI CORP
|
|
|
|
|
|
|
1N5401 |
|
Выпрямительный диод 100V, 3A
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
1N5401 |
|
Выпрямительный диод 100V, 3A
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
1N5401 |
|
Выпрямительный диод 100V, 3A
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
1N5401 |
|
Выпрямительный диод 100V, 3A
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
1N5401 |
|
Выпрямительный диод 100V, 3A
|
|
9 620
|
3.77
|
|
|
|
|
1N5401 |
|
Выпрямительный диод 100V, 3A
|
TSC
|
|
|
|
|
|
|
1N5401 |
|
Выпрямительный диод 100V, 3A
|
MIC
|
|
|
|
|
|
|
DL4729A |
|
стабилитрон SMD 3.6В 1.0Вт
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
|
DL4729A |
|
стабилитрон SMD 3.6В 1.0Вт
|
|
|
|
|
|
|
|
DL4729A |
|
стабилитрон SMD 3.6В 1.0Вт
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
SS24 (SK24) (2A 40V) |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
SS34 (SK34) (3A 40V) |
|
|
|
|
|
|
|
|
 |
TDA7294V |
|
ИМС УНЧ мостовой ±10…40 В, 100Вт, 20-20000 Гц
|
ST MICROELECTRONICS
|
26
|
394.30
|
|
|
|
|
TDA7294V |
|
ИМС УНЧ мостовой ±10…40 В, 100Вт, 20-20000 Гц
|
|
20
|
572.04
|
|
|
|
|
TDA7294V |
|
ИМС УНЧ мостовой ±10…40 В, 100Вт, 20-20000 Гц
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
TDA7294V |
|
ИМС УНЧ мостовой ±10…40 В, 100Вт, 20-20000 Гц
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
TDA7294V |
|
ИМС УНЧ мостовой ±10…40 В, 100Вт, 20-20000 Гц
|
СИНГАПУР
|
|
|
|
|
|
|
TDA7294V |
|
ИМС УНЧ мостовой ±10…40 В, 100Вт, 20-20000 Гц
|
ST1
|
|
|
|
|
|
|
TDA7294V |
|
ИМС УНЧ мостовой ±10…40 В, 100Вт, 20-20000 Гц
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
|
TDA7294V |
|
ИМС УНЧ мостовой ±10…40 В, 100Вт, 20-20000 Гц
|
1
|
|
|
|
|
|
|
TDA7294V |
|
ИМС УНЧ мостовой ±10…40 В, 100Вт, 20-20000 Гц
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
196
|
|
|
Версия для печати
