![]() |
|
FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
FET Feature | Standard |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600 mOhm @ 3.4A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 5.6A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 18nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 390pF @ 25V |
Power - Max | 2.5W |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Корпус | D-Pak |
IRFR9120 (Дискретные сигналы) 100V Single P-channel HexFET Power MOSFET inA D-pak Package Также в этом файле: IRFR9120TR, IRFR9120TRL, IRFR9120TRR
Производитель:
|
Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
![]() |
RLB0712-100KL |
![]() |
Индуктивность 10мкГн, 1100mA, 6,7x10mm, 10% | BOURNS | 2 273 | 31.65 | |
![]() |
![]() |
RLB0712-100KL |
![]() |
Индуктивность 10мкГн, 1100mA, 6,7x10mm, 10% |
![]() |
66.00 | ||
SH010M0470B3F-0811 |
![]() |
Электролитический алюминиевый конденсатор 470 мкФ 10 В | YAGEO | 652 | 35.57 | |||
SH010M0470B3F-0811 |
![]() |
Электролитический алюминиевый конденсатор 470 мкФ 10 В | ТАЙВАНЬ (КИТАЙ) |
![]() |
![]() |
|||
SH010M0470B3F-0811 |
![]() |
Электролитический алюминиевый конденсатор 470 мкФ 10 В | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
![]() |
![]() |
|||
SL1016-6R8K 6.8/10A | COME |
![]() |
![]() |
|||||
SL1016-6R8K 6.8/10A | YAGEO |
![]() |
![]() |
|||||
SL1016-6R8K 6.8/10A |
![]() |
63.20 | ||||||
SL1016-6R8K 6.8/10A | ТАЙВАНЬ (КИТАЙ) |
![]() |
![]() |
|||||
SL1016-6R8K 6.8/10A | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
![]() |
![]() |
|||||
![]() |
SS24 (SK24) (2A 40V) |
![]() |
![]() |
|||||
![]() |
SS34 (SK34) (3A 40V) |
![]() |
![]() |
|
Корзина
|