|
|
Версия для печати
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600 mOhm @ 3.4A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 5.6A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 18nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 390pF @ 25V |
| Power - Max | 2.5W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Корпус | D-Pak |
|
IRFR9120 (Дискретные сигналы) 100V Single P-channel HexFET Power MOSFET inA D-pak Package Также в этом файле: IRFR9120TR, IRFR9120TRL, IRFR9120TRR
Производитель:
|
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
RLB0712-100KL |
|
Индуктивность 10мкГн, 1100mA, 6,7x10mm, 10% | BOURNS |
|
|
|
|
|
|
RLB0712-100KL |
|
Индуктивность 10мкГн, 1100mA, 6,7x10mm, 10% |
|
66.00 | ||
| SH010M0470B3F-0811 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 470 мкФ 10 В | YAGEO |
|
|
|||
| SH010M0470B3F-0811 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 470 мкФ 10 В | ТАЙВАНЬ (КИТАЙ) |
|
|
|||
| SH010M0470B3F-0811 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 470 мкФ 10 В | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
|||
| SL1016-6R8K 6.8/10A | COME |
|
|
|||||
| SL1016-6R8K 6.8/10A | YAGEO |
|
|
|||||
| SL1016-6R8K 6.8/10A |
|
63.20 | ||||||
| SL1016-6R8K 6.8/10A | ТАЙВАНЬ (КИТАЙ) |
|
|
|||||
| SL1016-6R8K 6.8/10A | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
|||||
|
|
SS24 (SK24) (2A 40V) |
|
|
|||||
|
|
SS34 (SK34) (3A 40V) |
|
|