| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
2SC5299 |
|
Биполярный транзистор NPN hi-res, 1500V, 10A, 70W, Tf<200nS
|
|
|
154.44
|
|
|
|
|
2SC5299 |
|
Биполярный транзистор NPN hi-res, 1500V, 10A, 70W, Tf<200nS
|
SANYO
|
|
|
|
|
|
|
2SC5299 |
|
Биполярный транзистор NPN hi-res, 1500V, 10A, 70W, Tf<200nS
|
SAN
|
|
|
|
|
|
|
2SC5299 |
|
Биполярный транзистор NPN hi-res, 1500V, 10A, 70W, Tf<200nS
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
Д245 |
|
Диод кремниевые, диффузионные, для преобразования переменного напряжения частотой до ...
|
|
97
|
137.08
|
|
|
|
|
Д245 |
|
Диод кремниевые, диффузионные, для преобразования переменного напряжения частотой до ...
|
САРАНСК
|
3
|
106.00
|
|
|
|
|
Д245 |
|
Диод кремниевые, диффузионные, для преобразования переменного напряжения частотой до ...
|
П/П 2
|
|
|
|
|
|
|
Д245 |
|
Диод кремниевые, диффузионные, для преобразования переменного напряжения частотой до ...
|
СЗТП
|
8
|
238.14
|
|
|
|
|
Д245 |
|
Диод кремниевые, диффузионные, для преобразования переменного напряжения частотой до ...
|
РОССИЯ
|
|
|
|
|
|
|
Д245 |
|
Диод кремниевые, диффузионные, для преобразования переменного напряжения частотой до ...
|
САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
|
|
|
|
|
|
|
Д245 |
|
Диод кремниевые, диффузионные, для преобразования переменного напряжения частотой до ...
|
9
|
|
|
|
|
|
|
К555ЛП14 |
|
|
|
|
17.28
|
|
|
|
|
КР1533ЛА3 |
|
Цифровая интегральная схема с диодами Шоттки серия ТТЛ
|
|
16
|
66.24
|
|
|
|
|
КР1533ЛА3 |
|
Цифровая интегральная схема с диодами Шоттки серия ТТЛ
|
ЗПП
|
|
|
|
|
|
|
КР1533ЛА3 |
|
Цифровая интегральная схема с диодами Шоттки серия ТТЛ
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КР1533ЛА3 |
|
Цифровая интегральная схема с диодами Шоттки серия ТТЛ
|
ЗПП МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КР1533ЛА3 |
|
Цифровая интегральная схема с диодами Шоттки серия ТТЛ
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КР1533ЛА3 |
|
Цифровая интегральная схема с диодами Шоттки серия ТТЛ
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
КРЕМНИЙ
|
68
|
1 034.56
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
|
26
|
592.00
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
БРЯНСК
|
129
|
1 473.40
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
СИТ
|
|
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
1
|
|
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
104
|
|
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
24
|
|
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
88
|
|
|
|
Версия для печати
