| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
3G4HD-7 |
|
Единичный светодиод 3mm/Green/569nm/Diffused/20mA/4-18mcd/60°
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
|
3G4HD-7 |
|
Единичный светодиод 3mm/Green/569nm/Diffused/20mA/4-18mcd/60°
|
|
|
2.44
|
|
|
|
|
3Y4HD-7 |
|
Единичный светодиод 3mm/Yellow/588nm/Diffused/20mA/8-36mcd/60°
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
|
3Y4HD-7 |
|
Единичный светодиод 3mm/Yellow/588nm/Diffused/20mA/8-36mcd/60°
|
|
|
4.00
|
|
|
|
|
CF-0.125-100K 5% |
|
Резистор углеродистый 0,125Вт, 100кОм, 5%
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
|
CF-0.125-100K 5% |
|
Резистор углеродистый 0,125Вт, 100кОм, 5%
|
|
|
1.32
>500 шт. 0.44
|
|
|
|
|
LM385D-1.2 |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LM385D-1.2 |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LM385D-1.2 |
|
|
|
|
51.88
|
|
|
|
|
LM385D-1.2 |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LM385D-1.2 |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
452
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
КРЕМНИЙ
|
68
|
956.34
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
|
36
|
515.20
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
БРЯНСК
|
173
|
1 312.50
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
СИТ
|
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
1
|
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
104
|
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
24
|
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
88
|
|
|
|