К73-17-0.22МКФ 63В (10%)

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
20CTQ150		INTERNATIONAL RECTIFIER
20CTQ150		VISHAY
20CTQ150				145.80
20CTQ150		Vishay/Semiconductors
20CTQ150		WUXI XUYANG	135	110.48
20CTQ150		KLS
20CTQ150		YUNYI	459	50.73
BD139	Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)		18	16.23
BD139	Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRONICS	10 592	21.34
BD139	Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
BD139	Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
BD139	Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRONICS SEMI
BD139	Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	STMICROELECTRONICS
BD139	Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTR
BD139	Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ИНДИЯ
BD139	Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	PILIPINES
BD139	Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST1
BD139	Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRO
BD139	Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	STMICROELECTR
BD139	Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	CHANGJIANG
BD139	Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	KLS
BD139	Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	HOTTECH	912	10.19
BD139	Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	CHINA
BD139	Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	JSCJ	13 564	8.20
BD139	Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	1
BD139	Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ИМОРТ
BD139	Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	NXP	560	3.38
IRF3205PBF	Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 55 В, Rоткр = 0.08 Ом, Id(25°C) = 110 A ...	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF3205PBF	Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 55 В, Rоткр = 0.08 Ом, Id(25°C) = 110 A ...	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF3205PBF	Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 55 В, Rоткр = 0.08 Ом, Id(25°C) = 110 A ...	INFINEON	21 141	35.57
IRF3205PBF	Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 55 В, Rоткр = 0.08 Ом, Id(25°C) = 110 A ...		2 600	26.89
IRFP240	Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRFP240	Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	VISHAY
IRFP240	Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	FAIR
IRFP240	Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	HARRIS
IRFP240	Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	INTERSIL
IRFP240	Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	FAIRCHILD
IRFP240	Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	FAIRCHILD
IRFP240	Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	HARRIS
IRFP240	Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	INTERSIL
IRFP240	Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	Vishay/Siliconix
IRFP240	Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	КИТАЙ
IRFP240	Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	ISIL
IRFP240	Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	SILICONIX	19
IRFP240	Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W			155.76
IRFP240	Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	1
К73-17-0.47МКФ 63В (5%)	конденсаторы пленочные металлизированные, для работы в цепях постоянного, переменного, ...