20CTQ150

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
20CTQ150 (WUXI XUYANG)	22	118.24
20CTQ150 (YUNYI)	560	42.37

Версия для печати

Технические характеристики 20CTQ150

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	880mV @ 10A
Current - Reverse Leakage @ Vr	25µA @ 150V
Current - Average Rectified (Io) (per Diode)	10A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	150V
Diode Type	Schottky
Скорость	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Configuration	1 Pair Common Cathode
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

20CTQ150S (Дискретные сигналы)

SCHOTTKY RECTIFIER 20 Amp

Также в этом файле: 20CTQ150SPBF, 20CTQ150STRL, 20CTQ150STRLPBF, 20CTQ150STRR, 20CTQ150STRRPBF

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

20CTQ150 datasheet
304.38Kb
8стр.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
BD139	Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)		2 760	16.00
BD139	Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRONICS	436	14.46
BD139	Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
BD139	Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
BD139	Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRONICS SEMI
BD139	Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	STMICROELECTRONICS
BD139	Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTR
BD139	Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ИНДИЯ
BD139	Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	PILIPINES
BD139	Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST1
BD139	Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ST MICROELECTRO
BD139	Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	STMICROELECTR
BD139	Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	CHANGJIANG
BD139	Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	KLS
BD139	Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	HOTTECH	32	4.35
BD139	Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	CHINA
BD139	Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	JSCJ	6 614	16.33
BD139	Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	1
BD139	Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	ИМОРТ
BD139	Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	NXP
BD139	Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	RUME	118	3.88
BD139	Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)	TRR	4 800	3.99
IRF3205PBF	Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 55 В, Rоткр = 0.08 Ом, Id(25°C) = 110 A ...	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF3205PBF	Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 55 В, Rоткр = 0.08 Ом, Id(25°C) = 110 A ...	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF3205PBF	Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 55 В, Rоткр = 0.08 Ом, Id(25°C) = 110 A ...	INFINEON
IRF3205PBF	Силовой МОП-Транзистор N-канальный Vси = 55 В, Rоткр = 0.08 Ом, Id(25°C) = 110 A ...		624	34.44
IRFP240	Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRFP240	Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	VISHAY
IRFP240	Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	FAIR
IRFP240	Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	HARRIS
IRFP240	Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	INTERSIL
IRFP240	Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	FAIRCHILD
IRFP240	Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	FAIRCHILD
IRFP240	Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	HARRIS
IRFP240	Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	INTERSIL
IRFP240	Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	Vishay/Siliconix
IRFP240	Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	КИТАЙ
IRFP240	Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	ISIL
IRFP240	Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	SILICONIX	19
IRFP240	Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W		528	65.84
IRFP240	Мощный N канальный MOSFET транзистор 200V, 20A, 150W	1
IRFP9240	Транзистор полевой P-канальный мощный 200В, 12А	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRFP9240	Транзистор полевой P-канальный мощный 200В, 12А	FAIR
IRFP9240	Транзистор полевой P-канальный мощный 200В, 12А	INTERSIL
IRFP9240	Транзистор полевой P-канальный мощный 200В, 12А	SAMSUNG
IRFP9240	Транзистор полевой P-канальный мощный 200В, 12А	VISHAY	2	601.51
IRFP9240	Транзистор полевой P-канальный мощный 200В, 12А	FAIRCHILD
IRFP9240	Транзистор полевой P-канальный мощный 200В, 12А	FAIRCHILD
IRFP9240	Транзистор полевой P-канальный мощный 200В, 12А	INTERSIL
IRFP9240	Транзистор полевой P-канальный мощный 200В, 12А	SAMSUNG
IRFP9240	Транзистор полевой P-канальный мощный 200В, 12А	Vishay/Siliconix
IRFP9240	Транзистор полевой P-канальный мощный 200В, 12А	КИТАЙ
IRFP9240	Транзистор полевой P-канальный мощный 200В, 12А		360	134.49
К73-17-1.5МКФ 100В (5%)		CHINA

20CTQ150

КАТАЛОГ

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

Полупроводники

Диоды

Диоды, выпрямители - сборки

С этим товаром покупают: