MF-0.125 330K 5%

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
1N4007S (УКОР.ВЫВОДЫ 20ММ)		КИТАЙ
1N4007S (УКОР.ВЫВОДЫ 20ММ)		GALAXY
1N4007S (УКОР.ВЫВОДЫ 20ММ)		GALAXY ME
MF-0.125-100 5%	Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический	CHINA
MF-0.125-100 5%	Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический			2.80
MF-0.125-2.00K 5%	Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический 2кОм, 5%, 0.125Вт	CHINA
MF-0.125-2.00K 5%	Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический 2кОм, 5%, 0.125Вт		9	2.80
КР140УД1208			39	44.16
КР140УД1208		КИЕВ
КР140УД1208		КВАЗАР	202	53.00
КР140УД1208		МИКРОН
КР140УД1208		МИКРО-М	2 751	185.98
КР140УД1208		КВАДР
КР140УД1208		КОНТИНЕНТ
КР140УД1208		УКРАИНА
КР140УД1208		МИКРО М
КР140УД1208		RUS
КР140УД1208		МИКРОМ
КР140УД1208		1337
КР140УД1208		2
КР140УД1208		298
КТ816Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный		1 984	33.30
КТ816Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	КРЕМНИЙ	880	26.55
КТ816Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	БРЯНСК	1 672	38.16
КТ816Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	МИНСК	431	25.44
КТ816Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	RUS
КТ816Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ИНТЕГРАЛ
КТ816Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ТРАНЗИСТОР
КТ816Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	1801
КТ816Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	290