| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
KNP100JR-73-470R |
|
|
Yageo
|
|
|
|
|
|
|
MF-0.125-100 5% |
|
Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
|
MF-0.125-100 5% |
|
Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический
|
|
|
2.80
|
|
|
|
|
MF-0.125-2.00K 5% |
|
Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический 2кОм, 5%, 0.125Вт
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
|
MF-0.125-2.00K 5% |
|
Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический 2кОм, 5%, 0.125Вт
|
|
9
|
2.80
|
|
|
|
|
SF28 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 2A, 35нс
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
|
SF28 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 2A, 35нс
|
|
240
|
1.45
|
|
|
|
|
SF28 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 2A, 35нс
|
YJ
|
8 701
|
3.59
|
|
|
|
|
SF28 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 2A, 35нс
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
SF28 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 2A, 35нс
|
YSELECTRONIC
|
|
|
|
|
|
|
SF28 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 2A, 35нс
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
SF28 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 2A, 35нс
|
KINGTRONICS
|
1 120
|
7.23
|
|
|
|
|
SF28 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 2A, 35нс
|
MIC
|
|
|
|
|
|
|
SF28 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 2A, 35нс
|
HOTTECH
|
28 400
|
1.56
|
|
|
|
|
SF28 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 2A, 35нс
|
SUNTAN
|
1 647
|
4.06
|
|
|
|
|
SF28 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 2A, 35нс
|
WUXI XUYANG
|
33 390
|
4.17
|
|
|
|
|
SF28 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 2A, 35нс
|
YANGJIE
|
39 200
|
2.86
|
|
|
|
|
SF28 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 2A, 35нс
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
|
SF28 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 2A, 35нс
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
|
SF28 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 2A, 35нс
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
|
SF28 |
|
Ультрабыстрый диод 600V, 2A, 35нс
|
KEEN SIDE
|
8 842
|
1.20
|
|
|
|
|
КТ816Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
|
1 984
|
33.30
|
|
|
|
|
КТ816Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
880
|
26.55
|
|
|
|
|
КТ816Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
БРЯНСК
|
1 672
|
38.16
|
|
|
|
|
КТ816Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
МИНСК
|
431
|
25.44
|
|
|
|
|
КТ816Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ816Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ816Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
|
КТ816Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
1801
|
|
|
|
|
|
|
КТ816Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
290
|
|
|
|
Версия для печати
