1N4007S (УКОР.ВЫВОДЫ 20ММ)

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
KNP100JR-73-120R		Yageo
KNP100JR-73-470R		Yageo
MF-0.125-100 5%	Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический	CHINA
MF-0.125-100 5%	Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический			2.80
КР140УД1208			16	44.16
КР140УД1208		КИЕВ
КР140УД1208		КВАЗАР	158	53.00
КР140УД1208		МИКРОН
КР140УД1208		МИКРО-М	2 091	185.98
КР140УД1208		КВАДР
КР140УД1208		КОНТИНЕНТ
КР140УД1208		УКРАИНА
КР140УД1208		МИКРО М
КР140УД1208		RUS
КР140УД1208		МИКРОМ
КР140УД1208		1337
КР140УД1208		2
КР140УД1208		298
КТ816Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный		2 126	33.30
КТ816Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	КРЕМНИЙ	880	26.55
КТ816Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	БРЯНСК	1 451	38.16
КТ816Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	МИНСК	431	25.44
КТ816Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	RUS
КТ816Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ИНТЕГРАЛ
КТ816Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ТРАНЗИСТОР
КТ816Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	1801
КТ816Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	290