| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
80
|
32.01
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
ST MICROELECTRONICS
|
842
|
27.33
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
|
|
16.04
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
UTC
|
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
ГЕРМАНИЯ
|
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
HTC TAEJIN
|
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
1
|
|
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
IDCHIP
|
17 623
|
3.92
|
|
|
|
|
LM358D |
|
Сдвоенный операционный усилитель 0,7МГц
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
777
|
|
|
|
|
|
PLA10AN3521R2R2B |
|
Сетевой фильтр дроссель подавления ЭМП
|
MURATA
|
|
|
|
|
|
|
PLA10AN3521R2R2B |
|
Сетевой фильтр дроссель подавления ЭМП
|
MUR
|
|
|
|
|
|
|
PLA10AN3521R2R2B |
|
Сетевой фильтр дроссель подавления ЭМП
|
|
|
69.64
|
|
|
|
|
PLA10AN3521R2R2B |
|
Сетевой фильтр дроссель подавления ЭМП
|
Murata Electronics North America
|
|
|
|
|
|
|
PLA10AN3521R2R2B |
|
Сетевой фильтр дроссель подавления ЭМП
|
MUR/TP
|
|
|
|
|
|
|
PLA10AN3521R2R2B |
|
Сетевой фильтр дроссель подавления ЭМП
|
TOKYO PARTS
|
|
|
|
|
|
|
PLA10AN3521R2R2B |
|
Сетевой фильтр дроссель подавления ЭМП
|
TP-MUR
|
|
|
|
|
|
|
SG6841S |
|
ШИМ-контроллер для импульсного источника питания
|
SGC
|
|
|
|
|
|
|
SG6841S |
|
ШИМ-контроллер для импульсного источника питания
|
|
|
316.00
|
|
|
|
|
SG6841S |
|
ШИМ-контроллер для импульсного источника питания
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
120
|
|
|
|
|
|
STP4NK60ZFP |
|
N-MOS 600V, 4A, 25W
|
ST MICROELECTRONICS
|
392
|
29.96
|
|
|
|
|
STP4NK60ZFP |
|
N-MOS 600V, 4A, 25W
|
|
49
|
218.30
|
|
|
|
|
STP4NK60ZFP |
|
N-MOS 600V, 4A, 25W
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
STP4NK60ZFP |
|
N-MOS 600V, 4A, 25W
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
STP4NK60ZFP |
|
N-MOS 600V, 4A, 25W
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
|
STP4NK60ZFP |
|
N-MOS 600V, 4A, 25W
|
ST1
|
|
|
|
|
|
|
STP4NK60ZFP |
|
N-MOS 600V, 4A, 25W
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
|
STP4NK60ZFP |
|
N-MOS 600V, 4A, 25W
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
Версия для печати
