|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
3224W-1-102E |
|
Резистор подстроечный однооборотный smd (R=1 Kom ,+/-10%, размер 4mm, -65+/-150*С, 100ppm)
|
BOURNS
|
7 182
|
91.04
|
|
|
|
3224W-1-102E |
|
Резистор подстроечный однооборотный smd (R=1 Kom ,+/-10%, размер 4mm, -65+/-150*С, 100ppm)
|
|
|
460.12
|
|
|
|
3224W-1-102E |
|
Резистор подстроечный однооборотный smd (R=1 Kom ,+/-10%, размер 4mm, -65+/-150*С, 100ppm)
|
Bourns Inc
|
|
|
|
|
|
3224W-1-102E |
|
Резистор подстроечный однооборотный smd (R=1 Kom ,+/-10%, размер 4mm, -65+/-150*С, 100ppm)
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
3224W-1-102E |
|
Резистор подстроечный однооборотный smd (R=1 Kom ,+/-10%, размер 4mm, -65+/-150*С, 100ppm)
|
0.00
|
|
|
|
|
|
3224W-1-103E |
|
11об. потенциометр 10 кОм
|
BOURNS
|
7 865
|
108.10
|
|
|
|
3224W-1-103E |
|
11об. потенциометр 10 кОм
|
|
|
333.36
|
|
|
|
3224W-1-103E |
|
11об. потенциометр 10 кОм
|
Bourns Inc
|
|
|
|
|
|
3224W-1-103E |
|
11об. потенциометр 10 кОм
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
3224W-1-103E |
|
11об. потенциометр 10 кОм
|
BI TECHNOLOGIES
|
|
|
|
|
|
3224W-1-103E |
|
11об. потенциометр 10 кОм
|
BOURNS SENSORS
|
|
|
|
|
|
HEF4001BT |
|
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
HEF4001BT |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
HEF4001BT |
|
|
|
1 648
|
16.65
|
|
|
|
HEF4001BT |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
HEF4001BT |
|
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
HEF4001BT |
|
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
HEF4001BT |
|
|
NEX-NXP
|
|
|
|
|
|
HEF4001BT |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
563
|
|
|
|
|
IRF5800TR |
|
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRF5800TR |
|
|
|
|
|
|
|
|
IRF5800TR |
|
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
STTH4R02S |
|
|
ST MICROELECTRONICS
|
1 955
|
30.71
|
|
|
|
STTH4R02S |
|
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
STTH4R02S |
|
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
STTH4R02S |
|
|
|
|
|
|
|
|
STTH4R02S |
|
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
STTH4R02S |
|
|
STMICROELECTR
|
|
|
|