| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BZV55-C12 |
|
Стабилитрон PV=0.5W, Vz=12V, Izt-5mA
|
DC COMPONENTS
|
10 532
|
3.09
|
|
|
|
BZV55-C12 |
|
Стабилитрон PV=0.5W, Vz=12V, Izt-5mA
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BZV55-C12 |
|
Стабилитрон PV=0.5W, Vz=12V, Izt-5mA
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BZV55-C12 |
|
Стабилитрон PV=0.5W, Vz=12V, Izt-5mA
|
NXP
|
307
|
|
|
|
|
BZV55-C12 |
|
Стабилитрон PV=0.5W, Vz=12V, Izt-5mA
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BZV55-C12 |
|
Стабилитрон PV=0.5W, Vz=12V, Izt-5mA
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
BZV55-C12 |
|
Стабилитрон PV=0.5W, Vz=12V, Izt-5mA
|
|
|
|
|
|
|
BZV55-C12 |
|
Стабилитрон PV=0.5W, Vz=12V, Izt-5mA
|
PHI
|
|
|
|
|
|
BZV55-C12 |
|
Стабилитрон PV=0.5W, Vz=12V, Izt-5mA
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BZV55-C12 |
|
Стабилитрон PV=0.5W, Vz=12V, Izt-5mA
|
NXP/NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BZV55-C12 |
|
Стабилитрон PV=0.5W, Vz=12V, Izt-5mA
|
KEEN SIDE
|
|
|
|
|
|
|
LTV817S |
|
Оптрон 1-канальный, Uiso=5kV, Uceo=35V, CurTr(min)=50%1mA
|
LITE-ON
|
|
|
|
|
|
|
LTV817S |
|
Оптрон 1-канальный, Uiso=5kV, Uceo=35V, CurTr(min)=50%1mA
|
|
2
|
38.00
|
|
|
|
|
LTV817S |
|
Оптрон 1-канальный, Uiso=5kV, Uceo=35V, CurTr(min)=50%1mA
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
LTV817S |
|
Оптрон 1-канальный, Uiso=5kV, Uceo=35V, CurTr(min)=50%1mA
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
LTV817S |
|
Оптрон 1-канальный, Uiso=5kV, Uceo=35V, CurTr(min)=50%1mA
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
521
|
|
|
|
|
MMBT5401LT1G |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23
|
ON SEMICONDUCTOR
|
4
|
1.62
|
|
|
|
MMBT5401LT1G |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23
|
ONS
|
44
|
4.40
|
|
|
|
MMBT5401LT1G |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23
|
ON SEMICONDUCTOR
|
794
|
|
|
|
|
MMBT5401LT1G |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23
|
|
|
|
|
|
|
MMBT5401LT1G |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
MMBT5401LT1G |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MMBT5401LT1G |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23
|
0.00
|
|
|
|
|
|
|
MMBT5551LT1G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
8
|
1.43
|
|
|
|
|
MMBT5551LT1G |
|
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
MMBT5551LT1G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
5 108
|
|
|
|
|
|
MMBT5551LT1G |
|
|
|
160
|
1.84
>100 шт. 0.92
|
|
|
|
|
MMBT5551LT1G |
|
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
|
MMBT5551LT1G |
|
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MMBT5551LT1G |
|
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
|
MMBT5551LT1G |
|
|
10
|
|
|
|
|
|
|
МР20-2 СБ-12А ЧР |
|
|
|
5 200
|
|
|
|
|
|
МР20-2 СБ-12А ЧР |
|
|
|
5 200
|
|
|