| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
BT151-500R.127 |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BT151-500R.127 |
|
|
WEEN/NXP
|
|
|
|
|
|
|
BT151-500R.127 |
|
|
WEEN / NXP
|
|
|
|
|
|
|
BT151-500R.127 |
|
|
WEEN
|
|
|
|
|
|
|
BT151-500R.127 |
|
|
|
|
|
|
 |
 |
IRFZ44E |
|
Транзистор полевой N-MOS 60V, 48A, 110W
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
8
|
75.60
|
|
|
|
|
IRFZ44E |
|
Транзистор полевой N-MOS 60V, 48A, 110W
|
|
|
105.20
|
|
|
|
|
IRFZ44E |
|
Транзистор полевой N-MOS 60V, 48A, 110W
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRFZ44E |
|
Транзистор полевой N-MOS 60V, 48A, 110W
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
|
IRFZ44E |
|
Транзистор полевой N-MOS 60V, 48A, 110W
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
RD16HHF1 |
|
Транзистор полевой, Po=16W (Pin=0.4W/30MHz, Vcc=12.5V)
|
MITSUBISHI
|
|
|
|
|
|
|
RD16HHF1 |
|
Транзистор полевой, Po=16W (Pin=0.4W/30MHz, Vcc=12.5V)
|
MIT
|
|
|
|
|
|
|
RD16HHF1 |
|
Транзистор полевой, Po=16W (Pin=0.4W/30MHz, Vcc=12.5V)
|
|
|
331.04
|
|
|
|
|
RD16HHF1 |
|
Транзистор полевой, Po=16W (Pin=0.4W/30MHz, Vcc=12.5V)
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
|
КР142ЕН12А |
|
Линейный регулируемый стабилизатор напряжения
|
|
|
36.00
|
|
|
|
|
КР142ЕН12А |
|
Линейный регулируемый стабилизатор напряжения
|
КРЕМНИЙ
|
1 710
|
185.98
|
|
|
|
|
КР142ЕН12А |
|
Линейный регулируемый стабилизатор напряжения
|
ВОРОНЕЖСКИЙ ЗПП
|
|
|
|
|
|
|
КР142ЕН12А |
|
Линейный регулируемый стабилизатор напряжения
|
ВОРОНЕЖ
|
|
|
|
|
|
|
КР142ЕН12А |
|
Линейный регулируемый стабилизатор напряжения
|
БРЯНСК
|
1 545
|
126.00
|
|
|
|
|
КР142ЕН12А |
|
Линейный регулируемый стабилизатор напряжения
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КР142ЕН12А |
|
Линейный регулируемый стабилизатор напряжения
|
ВЗПП
|
|
|
|
|
|
|
КР142ЕН12А |
|
Линейный регулируемый стабилизатор напряжения
|
937
|
|
|
|
|
|
|
КР142ЕН12А |
|
Линейный регулируемый стабилизатор напряжения
|
995
|
|
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
КРЕМНИЙ
|
68
|
956.34
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
|
36
|
515.20
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
БРЯНСК
|
173
|
1 312.50
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
СИТ
|
|
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
1
|
|
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
104
|
|
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
24
|
|
|
|
|
|
|
КТ825Г |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А
|
88
|
|
|
|
Версия для печати
