STR-A6351

SMPS схема упpавления, MOSFET 700V/Idp=A, Pout=8W

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
STR-A6351 (SANKEN)	26	191.30

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
RD16HHF1	Транзистор полевой, Po=16W (Pin=0.4W/30MHz, Vcc=12.5V)	MITSUBISHI
RD16HHF1	Транзистор полевой, Po=16W (Pin=0.4W/30MHz, Vcc=12.5V)	MIT
RD16HHF1	Транзистор полевой, Po=16W (Pin=0.4W/30MHz, Vcc=12.5V)			331.04
RD16HHF1	Транзистор полевой, Po=16W (Pin=0.4W/30MHz, Vcc=12.5V)	МАЛАЙЗИЯ
ВП2Б-1 2А			10 840	2.87
КТ825Г	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А	КРЕМНИЙ	68	1 034.56
КТ825Г	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А		56	629.00
КТ825Г	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А	БРЯНСК	169	1 325.00
КТ825Г	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А	СИТ
КТ825Г	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А	RUS
КТ825Г	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А	1
КТ825Г	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А	104
КТ825Г	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А	24
КТ825Г	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А	88
КТ867А				288.00
КТ867А		КРЕМНИЙ	4	776.90
КТ867А		БРЯНСК
КТ867А		УЛЬЯНОВСК
КТ867А		ФРЯЗИНО
ОСМ1-0.063 220/5-42				2 023.56