STR-A6351

SMPS схема упpавления, MOSFET 700V/Idp=A, Pout=8W

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
STR-A6351 (SANKEN)	26	173.88

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
PC817A	Оптрон, 5кВ, 35В, 50мА, >50%	SHARP
PC817A	Оптрон, 5кВ, 35В, 50мА, >50%		2 400	2.44
PC817A	Оптрон, 5кВ, 35В, 50мА, >50%	КИТАЙ
PC817A	Оптрон, 5кВ, 35В, 50мА, >50%	FAIRCHILD
PC817A	Оптрон, 5кВ, 35В, 50мА, >50%	4-7 НЕДЕЛЬ	656
RD16HHF1	Транзистор полевой, Po=16W (Pin=0.4W/30MHz, Vcc=12.5V)	MITSUBISHI
RD16HHF1	Транзистор полевой, Po=16W (Pin=0.4W/30MHz, Vcc=12.5V)	MIT
RD16HHF1	Транзистор полевой, Po=16W (Pin=0.4W/30MHz, Vcc=12.5V)			331.04
RD16HHF1	Транзистор полевой, Po=16W (Pin=0.4W/30MHz, Vcc=12.5V)	МАЛАЙЗИЯ
ВП2Б-1 2А			27 496	2.82
Д817А	металл		44	45.36
Д817А	металл	НОВОСИБИРСК
Д817А	металл	RUS
Д817А	металл	СЗТП
Д817А	металл	НЭВЗ
Д817А	металл	НЗПП
Д817А	металл	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
КТ825Г	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А	КРЕМНИЙ	114	956.34
КТ825Г	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А		16	552.00
КТ825Г	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А	БРЯНСК	180	1 312.50
КТ825Г	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А	СИТ
КТ825Г	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А	RUS