STR-A6351

SMPS схема упpавления, MOSFET 700V/Idp=A, Pout=8W

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
STR-A6351 (SANKEN)	26	191.30

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
RD16HHF1	Транзистор полевой, Po=16W (Pin=0.4W/30MHz, Vcc=12.5V)	MITSUBISHI
RD16HHF1	Транзистор полевой, Po=16W (Pin=0.4W/30MHz, Vcc=12.5V)	MIT
RD16HHF1	Транзистор полевой, Po=16W (Pin=0.4W/30MHz, Vcc=12.5V)			331.04
RD16HHF1	Транзистор полевой, Po=16W (Pin=0.4W/30MHz, Vcc=12.5V)	МАЛАЙЗИЯ
ВП2Б-1 2А			24 640	3.29
Д817А	металл		37	266.80
Д817А	металл	НОВОСИБИРСК
Д817А	металл	RUS
Д817А	металл	СЗТП
Д817А	металл	НЭВЗ
Д817А	металл	НЗПП
Д817А	металл	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
КТ825Г	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А	КРЕМНИЙ	220	1 171.20
КТ825Г	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А		22	592.00
КТ825Г	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А	БРЯНСК	129	1 473.40
КТ825Г	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А	СИТ
КТ825Г	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А	RUS
КТ825Г	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А	1
КТ825Г	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А	104
КТ825Г	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А	24
КТ825Г	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А	88
ОСМ1-0.063 220/5-42				2 023.56