| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
STGB10NB37LZ |
|
IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
STGB10NB37LZ |
|
IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый
|
|
4
|
340.00
|
|
|
|
|
STGB10NB37LZ |
|
IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
STGB10NB37LZ |
|
IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
STGB10NB37LZ |
|
IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
STGB10NB37LZ |
|
IGBT-транзистор 10 а, 410 в, внутренне-замкнутый
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
|
К574УД1Б |
|
|
|
139
|
306.18
|
|
|
|
|
К574УД1Б |
|
|
ТОНДИ
|
|
|
|
|
|
|
К574УД1Б |
|
|
МИКРО-М
|
371
|
115.50
|
|
|
|
|
К574УД1Б |
|
|
ТАЛЛИН
|
|
|
|
|
|
|
К574УД1Б |
|
|
КАЛУГА
|
656
|
105.00
|
|
|
|
|
КТ8101Б |
|
|
КРЕМНИЙ
|
40
|
170.10
|
|
|
|
|
КТ8101Б |
|
|
|
1
|
240.50
|
|
|
|
|
КТ8101Б |
|
|
БРЯНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ851А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p переключательный
|
|
452
|
93.84
|
|
|
|
|
КТ851А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p переключательный
|
КРЕМНИЙ
|
80
|
83.16
|
|
|
|
|
КТ851А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p переключательный
|
БРЯНСК
|
453
|
117.60
|
|
|
|
|
КТ851А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p переключательный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ9115А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
|
216
|
49.14
|
|
|
|
|
КТ9115А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
908
|
26.46
|
|
|
|
|
КТ9115А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
БРЯНСК
|
6 028
|
33.60
|
|
Версия для печати
