|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
|
40 800
|
3.15
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
HOTTECH
|
271 870
|
1.98
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
HUASHUO
|
11 503
|
5.49
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
KLS
|
|
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
YOUTAI
|
80 441
|
2.80
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
UMW
|
8 000
|
3.10
|
|
|
|
IRLML6401 |
|
Транзистор полевой P-канальный MOSFET 1,3Вт, 12В, 4,3А
|
SUNTAN
|
28 851
|
5.29
|
|
|
|
LM358 |
|
Низкопотребляющий двухканальный операционный усилитель
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
LM358 |
|
Низкопотребляющий двухканальный операционный усилитель
|
|
23 680
|
2.42
|
|
|
|
LM358 |
|
Низкопотребляющий двухканальный операционный усилитель
|
МИКРОН
|
|
|
|
|
|
LM358 |
|
Низкопотребляющий двухканальный операционный усилитель
|
|
23 680
|
2.42
|
|
|
|
LM358 |
|
Низкопотребляющий двухканальный операционный усилитель
|
HOTTECH
|
20 911
|
4.28
|
|
|
|
LM358 |
|
Низкопотребляющий двухканальный операционный усилитель
|
JSMICRO
|
10 286
|
2.17
|
|
|
|
LM358 |
|
Низкопотребляющий двухканальный операционный усилитель
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
754
|
|
|
|
|
MBR0520LT1G |
|
Диод Шоттки smd (U=20V, I=0.5A, Vf=0.385V@I=0.5A&T=25C, Vf=0.33V@I=0.5A&T=100C, -65 to ...
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
MBR0520LT1G |
|
Диод Шоттки smd (U=20V, I=0.5A, Vf=0.385V@I=0.5A&T=25C, Vf=0.33V@I=0.5A&T=100C, -65 to ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MBR0520LT1G |
|
Диод Шоттки smd (U=20V, I=0.5A, Vf=0.385V@I=0.5A&T=25C, Vf=0.33V@I=0.5A&T=100C, -65 to ...
|
|
14 010
|
5.04
|
|
|
|
MBR0520LT1G |
|
Диод Шоттки smd (U=20V, I=0.5A, Vf=0.385V@I=0.5A&T=25C, Vf=0.33V@I=0.5A&T=100C, -65 to ...
|
ONS
|
29 038
|
8.35
|
|
|
|
MBR0520LT1G |
|
Диод Шоттки smd (U=20V, I=0.5A, Vf=0.385V@I=0.5A&T=25C, Vf=0.33V@I=0.5A&T=100C, -65 to ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
9 884
|
|
|
|
|
MBR0520LT1G |
|
Диод Шоттки smd (U=20V, I=0.5A, Vf=0.385V@I=0.5A&T=25C, Vf=0.33V@I=0.5A&T=100C, -65 to ...
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MBR0520LT1G |
|
Диод Шоттки smd (U=20V, I=0.5A, Vf=0.385V@I=0.5A&T=25C, Vf=0.33V@I=0.5A&T=100C, -65 to ...
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
MBR0520LT1G |
|
Диод Шоттки smd (U=20V, I=0.5A, Vf=0.385V@I=0.5A&T=25C, Vf=0.33V@I=0.5A&T=100C, -65 to ...
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
MBR0520LT1G |
|
Диод Шоттки smd (U=20V, I=0.5A, Vf=0.385V@I=0.5A&T=25C, Vf=0.33V@I=0.5A&T=100C, -65 to ...
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
MBR0520LT1G |
|
Диод Шоттки smd (U=20V, I=0.5A, Vf=0.385V@I=0.5A&T=25C, Vf=0.33V@I=0.5A&T=100C, -65 to ...
|
ONSEMI
|
18 577
|
7.72
|
|
|
|
MBR0520LT1G |
|
Диод Шоттки smd (U=20V, I=0.5A, Vf=0.385V@I=0.5A&T=25C, Vf=0.33V@I=0.5A&T=100C, -65 to ...
|
JSMICRO
|
10 993
|
2.29
|
|
|
|
NCP1529ASNT1G |
|
Регулируемый понижающий СН
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
NCP1529ASNT1G |
|
Регулируемый понижающий СН
|
|
|
152.00
|
|
|
|
NCP1529ASNT1G |
|
Регулируемый понижающий СН
|
ONS
|
364
|
72.82
|
|
|
|
NCP1529ASNT1G |
|
Регулируемый понижающий СН
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
NCP1529ASNT1G |
|
Регулируемый понижающий СН
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
200
|
|
|
|
|
RLB0712-100KL |
|
Индуктивность 10мкГн, 1100mA, 6,7x10mm, 10%
|
BOURNS
|
2 100
|
31.29
|
|
|
|
RLB0712-100KL |
|
Индуктивность 10мкГн, 1100mA, 6,7x10mm, 10%
|
|
|
66.00
|
|