|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
DC COMPONENTS
|
8 709
|
2.88
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
UTC
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
400
|
8.69
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
DIOTEC
|
4 008
|
3.12
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
KOREA ELECTRONICS CORPORATION
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
FSC
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
KEC AMERICA (USD)
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
|
12 047
|
1.26
>100 шт. 0.63
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
8
|
7.18
|
|
|
|
2N3904 |
|
Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...
|
CJ
|
4
|
2.34
|
|
|
|
2SD1047 |
|
Транзистор S-N, 160В, 12A, SOT93
|
SANYO
|
|
|
|
|
|
2SD1047 |
|
Транзистор S-N, 160В, 12A, SOT93
|
|
|
144.00
|
|
|
|
2SD1047 |
|
Транзистор S-N, 160В, 12A, SOT93
|
SAN
|
|
|
|
|
|
2SD1047 |
|
Транзистор S-N, 160В, 12A, SOT93
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
2SD1047 |
|
Транзистор S-N, 160В, 12A, SOT93
|
NO TRADEMARK
|
|
|
|
|
|
2SD1047 |
|
Транзистор S-N, 160В, 12A, SOT93
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
2SD1047 |
|
Транзистор S-N, 160В, 12A, SOT93
|
ISCSEMI
|
|
|
|
|
|
BZV85-C13 |
|
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BZV85-C13 |
|
|
PHILIPS
|
19 652
|
|
|
|
|
BZV85-C13 |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BZX85C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный PV=1.3W, Vz=5.1V, Izt-45mA
|
|
122
|
15.12
|
|
|
|
BZX85C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный PV=1.3W, Vz=5.1V, Izt-45mA
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BZX85C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный PV=1.3W, Vz=5.1V, Izt-45mA
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BZX85C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный PV=1.3W, Vz=5.1V, Izt-45mA
|
FAIRCHILD
|
11 274
|
|
|
|
|
BZX85C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный PV=1.3W, Vz=5.1V, Izt-45mA
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BZX85C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный PV=1.3W, Vz=5.1V, Izt-45mA
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BZX85C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный PV=1.3W, Vz=5.1V, Izt-45mA
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BZX85C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный PV=1.3W, Vz=5.1V, Izt-45mA
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BZX85C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный PV=1.3W, Vz=5.1V, Izt-45mA
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BZX85C5V1 |
|
Стабилитрон универсальный PV=1.3W, Vz=5.1V, Izt-45mA
|
1
|
|
|
|
|
|
RS407 |
|
Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка
|
MASTER INSTRUMENT CO
|
|
|
|
|
|
RS407 |
|
Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка
|
DC COMPONENTS
|
11 043
|
29.74
|
|
|
|
RS407 |
|
Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка
|
MCC
|
|
|
|
|
|
RS407 |
|
Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка
|
|
6 461
|
11.89
|
|
|
|
RS407 |
|
Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
RS407 |
|
Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка
|
MIC
|
4 756
|
23.63
|
|
|
|
RS407 |
|
Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
RS407 |
|
Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка
|
YJ
|
|
|
|
|
|
RS407 |
|
Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка
|
GALAXY ME
|
13
|
26.57
|
|
|
|
RS407 |
|
Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка
|
KLS
|
|
|
|
|
|
RS407 |
|
Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка
|
WUXI XUYANG
|
|
|
|
|
|
RS407 |
|
Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка
|
HOTTECH
|
5 924
|
20.98
|
|
|
|
RS407 |
|
Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка
|
SEP
|
1 488
|
23.07
|
|
|
|
RS407 |
|
Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка
|
YANGJIE
|
39 040
|
27.66
|
|
|
|
RS407 |
|
Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка
|
RUME
|
|
|
|
|
|
RS407 |
|
Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка
|
BO
|
1 600
|
11.42
|
|