| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2SC5200 |
|
Транзистор S-N (230В, 15A, TO220)
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
2SC5200 |
|
Транзистор S-N (230В, 15A, TO220)
|
TOS
|
|
|
|
|
|
2SC5200 |
|
Транзистор S-N (230В, 15A, TO220)
|
|
2
|
259.00
|
|
|
|
2SC5200 |
|
Транзистор S-N (230В, 15A, TO220)
|
UTC
|
|
|
|
|
|
2SC5200 |
|
Транзистор S-N (230В, 15A, TO220)
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
2SC5200 |
|
Транзистор S-N (230В, 15A, TO220)
|
SPTECH
|
336
|
100.85
|
|
|
|
|
BZV85-C13 |
|
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
BZV85-C13 |
|
|
PHILIPS
|
19 652
|
|
|
|
|
|
BZV85-C13 |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
LM338T |
|
ИМС Стабилизатор направленный 1.2/32В 5А TO220
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM338T |
|
ИМС Стабилизатор направленный 1.2/32В 5А TO220
|
|
|
135.96
|
|
|
|
LM338T |
|
ИМС Стабилизатор направленный 1.2/32В 5А TO220
|
NSC
|
|
|
|
|
|
LM338T |
|
ИМС Стабилизатор направленный 1.2/32В 5А TO220
|
США
|
|
|
|
|
|
LM338T |
|
ИМС Стабилизатор направленный 1.2/32В 5А TO220
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
LM338T |
|
ИМС Стабилизатор направленный 1.2/32В 5А TO220
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
LM338T |
|
ИМС Стабилизатор направленный 1.2/32В 5А TO220
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
LM338T |
|
ИМС Стабилизатор направленный 1.2/32В 5А TO220
|
HGSEMI
|
405
|
52.61
|
|
|
|
LM338T |
|
ИМС Стабилизатор направленный 1.2/32В 5А TO220
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
275
|
|
|
|
|
PC817C |
|
Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц
|
SHARP
|
8 677
|
6.20
|
|
|
|
PC817C |
|
Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц
|
|
32
|
12.95
|
|
|
|
PC817C |
|
Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
PC817C |
|
Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц
|
EVL
|
|
|
|
|
|
PC817C |
|
Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц
|
SHARPLCD
|
|
|
|
|
|
PC817C |
|
Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц
|
MICRONE
|
3 461
|
5.04
|
|
|
|
PC817C |
|
Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц
|
EVERLLIGHT
|
|
|
|
|
|
PC817C |
|
Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц
|
CHE
|
|
|
|
|
|
PC817C |
|
Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц
|
YOUTAI
|
71 143
|
6.04
|
|
|
|
PC817C |
|
Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц
|
UMW-YOUTAI
|
|
|
|
|
|
PC817C |
|
Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц
|
SLKOR
|
11 499
|
3.83
|
|
|
|
PC817C |
|
Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
336
|
|
|
|
|
PC817C |
|
Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц
|
RUME
|
139 440
|
1.78
|
|
|
|
КТ816А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
|
1 796
|
27.75
|
|
|
|
КТ816А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
1 012
|
32.79
|
|
|
|
КТ816А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ816А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
БРЯНСК
|
3 665
|
38.16
|
|
|
|
КТ816А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ816А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ816А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
1415
|
|
|
|
|
|
КТ816А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
20
|
|
|
|
|
|
КТ816А |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
3147
|
|
|
|