Версия для печати

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2SB817		Транзистор S-P 160В, 12A, ISO21, PNP, 100Вт, 15МГц	SANYO
		2SB817		Транзистор S-P 160В, 12A, ISO21, PNP, 100Вт, 15МГц		312	75.40
		2SB817		Транзистор S-P 160В, 12A, ISO21, PNP, 100Вт, 15МГц	SAN
		2SB817		Транзистор S-P 160В, 12A, ISO21, PNP, 100Вт, 15МГц	ISCSEMI
		2SD1047		Транзистор S-N, 160В, 12A, SOT93	SANYO
		2SD1047		Транзистор S-N, 160В, 12A, SOT93			144.00
		2SD1047		Транзистор S-N, 160В, 12A, SOT93	SAN
		2SD1047		Транзистор S-N, 160В, 12A, SOT93	ST MICROELECTRONICS
		2SD1047		Транзистор S-N, 160В, 12A, SOT93	NO TRADEMARK
		2SD1047		Транзистор S-N, 160В, 12A, SOT93	STMICROELECTR
		2SD1047		Транзистор S-N, 160В, 12A, SOT93	ISCSEMI
		KBU8M		Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR	DC COMPONENTS	878	28.78
		KBU8M		Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR	FAIR
		KBU8M		Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR	GENERAL SEMICONDUCTOR
		KBU8M		Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR			60.44
		KBU8M		Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR	MASTER INSTRUMENT CO
		KBU8M		Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR	FAIRCHILD
		KBU8M		Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR	MIC
		KBU8M		Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR	FAIRCHILD
		KBU8M		Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR	GENERAL SEMICONDUCTOR
		KBU8M		Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR	GALAXY
		KBU8M		Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR	Fairchild Semiconductor
		KBU8M		Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR	КИТАЙ
		KBU8M		Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR	YJ	573	36.72
		KBU8M		Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR	GALAXY ME
		KBU8M		Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR	HOTTECH	530	33.63
		KBU8M		Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR	PANJIT
		KBU8M		Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR	YANGJIE	600	28.11
		KBU8M		Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR	RUME	6 080	21.79
		KBU8M		Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR	YANGZHOU YANGJIE
		KBU8M		Диодный мост, Тип моста однофазный, IF(AV) = 8 A, VDC,В = 1000, VF,В =1, IR	MERRYELC
		OPA551PA		ИМС Операционный усилитель 0,2A 3МГц 15В/мкс	TEXAS INSTRUMENTS
		OPA551PA		ИМС Операционный усилитель 0,2A 3МГц 15В/мкс			540.00
		OPA551PA		ИМС Операционный усилитель 0,2A 3МГц 15В/мкс	TEXAS INSTRUMEN
		OPA551PA		ИМС Операционный усилитель 0,2A 3МГц 15В/мкс	TEXAS
		OPA551PA		ИМС Операционный усилитель 0,2A 3МГц 15В/мкс	4-7 НЕДЕЛЬ
		КТ817А		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный		1 082	33.48
		КТ817А		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	КРЕМНИЙ	807	32.79
		КТ817А		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	МИНСК
		КТ817А		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	БРЯНСК
		КТ817А		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	УЛЬЯНОВСК
		КТ817А		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	RUS
		КТ817А		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ИНТЕГРАЛ	20	38.80
		КТ817А		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	КРЕМН
		КТ817А		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	1103

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"