КТ 3102 БМ

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
BUZ90	Транзистор полевой N-MOS 600V, 4.0A, 75W	ST MICROELECTRONICS
BUZ90	Транзистор полевой N-MOS 600V, 4.0A, 75W	SIEMENS
BUZ90	Транзистор полевой N-MOS 600V, 4.0A, 75W	INFINEON
BUZ90	Транзистор полевой N-MOS 600V, 4.0A, 75W			64.24
BUZ90	Транзистор полевой N-MOS 600V, 4.0A, 75W	КИТАЙ
BUZ90	Транзистор полевой N-MOS 600V, 4.0A, 75W	ISC
BUZ90	Транзистор полевой N-MOS 600V, 4.0A, 75W	ISCSEMI
КД 522Б	Импульсный диод Uобр 50В/75В, 1.5А, 4мкс, 3пФ
КД906А	Диодные матрицы, состоящие из кремниевых, эпитаксиально-планарных диодов для ...		39	123.20
КД906А	Диодные матрицы, состоящие из кремниевых, эпитаксиально-планарных диодов для ...	ВЛАДИКАВКАЗ
КД906А	Диодные матрицы, состоящие из кремниевых, эпитаксиально-планарных диодов для ...	САРАНСК
КД906А	Диодные матрицы, состоящие из кремниевых, эпитаксиально-планарных диодов для ...	СИРИУС
КД906А	Диодные матрицы, состоящие из кремниевых, эпитаксиально-планарных диодов для ...	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ
КД906А	Диодные матрицы, состоящие из кремниевых, эпитаксиально-планарных диодов для ...	RUS
КД906А	Диодные матрицы, состоящие из кремниевых, эпитаксиально-планарных диодов для ...	СЗТП
КД906А	Диодные матрицы, состоящие из кремниевых, эпитаксиально-планарных диодов для ...	БОЛХОВСКИЙ ЗПП	8	224.40
КП303А	Tранзистор полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.			57.60
КП303А	Tранзистор полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.	ФОТОН	21 599	24.00
КП303А	Tранзистор полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.	АЛЕКСАНДРОВ
КП303А	Tранзистор полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.	RUS
КП303А	Tранзистор полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.	ЭЛЕКС	532	127.50
КТ 3102 АМ		RUS