PMV213SN

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
PMV213SN	4	30.72
PMV213SN (NXP.)	133	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики PMV213SN

FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	TrenchMOS™
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	250 mOhm @ 500mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	1.9A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	7nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	330pF @ 20V
Power - Max	2W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	TO-236AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

PMV213SN (MOSFET)

N-канальный uTrenchMOS™ транзистор со стандартным уровнем FET

Производитель:
NXP

PMV213SN datasheet
247.3 Кб

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
0603-2.2К 5%	ЧИП — резистор	FAITHFUL LINK
0603-2.2К 5%	ЧИП — резистор			1.52 >100 шт. 0.76
0603-220К 5%	ЧИП — резистор	FAITHFUL LINK
0603-220К 5%	ЧИП — резистор		4 148	1.52 >100 шт. 0.76
0603-NP0-10PF 5% 50V	Керамический конденсатор 10 пФ, 50 В, 5%	MURATA
0603-NP0-10PF 5% 50V	Керамический конденсатор 10 пФ, 50 В, 5%		3	1.92 >100 шт. 0.96
BAS70-07S	Сдвоенный изолированный диод шоттки в корпусе для поверхностного монтажа	PHILIPS
BAS70-07S	Сдвоенный изолированный диод шоттки в корпусе для поверхностного монтажа	PHILIPS
ЧИП ТАНТ. 10V 100UF 20% D		SUNTAN
ЧИП ТАНТ. 10V 100UF 20% D